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南通大学自然科学基金(102025)
作品数:
1
被引量:1
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相关作者:
陈云
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于江江
张健
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张健
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陈云
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2013
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硅纳米电极超低电压场致电离特性研究
被引量:1
2013年
用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.
陈云
张健
于江江
郑小东
关键词:
硅纳米线
场致电离
击穿电压
湿法化学刻蚀
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