国家自然科学基金(51072164)
- 作品数：9 被引量：5H指数：2
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- 单质直接气相生长ZnMgSe单晶被引量：2
- 2012年
- 采用高纯Zn、Mg、Se2单质为原料,以NH4Cl作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功生长出ZnMgSe单晶。通过XRD、RO-XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了ZnMgSe晶体的结构、成份以及光学特性。结果表明:ZnMgSe单晶具有良好的结晶性能,在400～800 nm范围内透过率达到40%～50%,在2.2～2.6 eV范围内存在与深能级电子复合相关的发光带。研究证明由Zn、Mg、Se2单质在输运剂NH4Cl辅助下一步直接合成ZnMgSe单晶是可行的。
- 田世俊李焕勇
- 关键词：透过率
- Zn-Mg-Se-I_2系统生长ZnMgSe单晶及其特征被引量：1
- 2012年
- 以高纯的Zn、Mg以及Se2单质为生长原料,加入高纯的碘单质作为反应输运剂,采用化学气相输运(CVT)方法成功制备了ZnMgSe单晶,并且分别采用X射线衍射、双晶衍射、紫外可见分光光度计、红外光谱仪以及光致发光(PL)技术研究了晶体的结构、结晶质量以及光学性质。结果表明,制备的单晶结晶性能良好,在500～1500 nm波长范围内的透过率接近50%,在400～4000 cm-1波长范围内的透过率达到42%,在2.0～2.6 eV范围内有三个明显的空位与杂质发光带。以Zn、Mg及Se2单质为生长原料,在输运剂I2的帮助下可以实现ZnMgSe单晶的生长。
- 付泽华李焕勇李辉斌
- 关键词：气相生长光学性质
- 化学气相沉积制备铜锌合金微米杆
- 2014年
- 采用化学气相沉积的方法,以锌粉、硝酸铜为原料,在硅衬底上制备了铜锌合金微米杆。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线能谱（EDS）对沉积产物的结构、形貌和成分进行了测试与表征。结果表明,生长的铜锌合金微米杆为金属间化合物Cu3Zn合金,为立方相结构,直径在0.1~5μm之间,长度可达3~30μm。锌在铜锌合金微米杆的生长中起着至关重要的作用。铜锌合金微米杆的生长属于气固反应诱导下的气液固（VLS）生长机制,与经典的气液固（VLS）生长机制具有明显不同的特点。
- 靳英坤李焕勇
- 关键词：化学气相沉积
- 均相沉淀法制备γ-La2S3粉体及球形形貌控制研究
- 2012年
- 以La2O3和尿素为原料,丙三醇为分散剂,采用均相沉淀方法制备镧盐前驱体,并通过H2S硫化得到γ-La2S3粉体。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对镧盐前驱体和γ-La2S3粉末的结构和形貌进行表征。结果表明,当加热温度为95℃,尿素和La2O3的物质的量比为15∶1,V(丙三醇)/V(水)=1∶1,反应时间为3 h时,可制备出高纯、分散性好、球形γ-La2S3纳米粉体。
- 汤庆新李焕勇李寒松
- 关键词：均相沉淀法球形
- 高纯MgSe多晶的化学气相合成及特性研究被引量：1
- 2013年
- 以高纯Mg、Se单质为原料,NH4Cl作反应促进剂,温度为999～992℃,采用化学气相输运法(CVT)成功合成出MgSe多晶。采用X射线粉末衍射仪、紫外-可见-近红外分光光度计、傅立叶变换红外光谱仪以及光致发光测试系统研究了MgSe多晶的结构和光学特性。结果表明:合成物为MgSe多晶,具有NaCl型结构,禁带宽度Eg为1.98eV,在1.6 eV附近内存在与施主-受主对辐射复合发光相关的发光带。研究证明由Mg、Se单质在促进剂NH4Cl辅助下直接合成MgSe多晶是一种较好的方法。
- 李辉斌李焕勇付泽华田世俊
- 气体高压合成炉的设计及在小批量合成高纯ZnSe多晶中的应用
- 2014年
- 选择ZnSe多晶合成中具有最大气体总压力的Zn-Se-NH4Cl体系,通过在合成温度下减小石英坩埚内外压力差的途径,设计了专门的气体高压晶体合成炉,研究了所建立的高压炉的基本高温高压性能。并在此基础上成功小批量合成了的高纯的ZnSe多晶,结果表明自行设计建造的高压炉批量合成ZnSe高熔点化合物多晶材料是可行的,并且该设备也可以用于其它II-VI族高熔点非氧化物高纯多晶的合成。
- 王小军李焕勇
- 关键词：多晶合成
- 高温垂直Bridgman法生长Zn_(1-x)Mg_xTe晶体
- 2014年
- 采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀的方法分析了晶体的结晶质量。结果表明:所生长的晶体具有立方相结构,晶格常数为0.61585 nm,略大于ZnTe晶格常数,晶锭中质量最好部分的晶片红外和紫外透过率接近60%,室温下其禁带宽度约为2.37 eV。77 K温度下,PL谱中存在A和B两个主要的发光带,位错腐蚀坑密度在105cm-2数量级。
- 刘国和李焕勇张海洋王小军靳英坤
- 关键词：透过率
- CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究被引量：2
- 2012年
- 本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40%～42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3×109Ω.cm。
- 李寒松李焕勇
- 关键词：光电特性透过率电阻率
- 放电等离子烧结制备Ba^(2+)掺杂γ-La_2S_3陶瓷及其性能研究被引量：1
- 2012年
- 以气固反应硫化制备的γ-La2S3粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备出γ-La2S3多晶陶瓷。研究了Ba2+掺杂量对得到γ-La2S3粉体物相结构的影响,并分析了烧结温度、再硫化工艺参数对γ-La2S3多晶陶瓷微观组织结构和红外透过率的影响。结果表明:掺入Ba2+有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在nLa/nBa为5～15时能够得到纯相的γ-La2S3粉体。在烧结温度为1150℃,保温时间为5 min时制备出的γ-La2S3陶瓷致密,无明显气孔,在CS2气氛下再硫化2.5 h后,在10～14μm波段的红外峰值透过率达到42%。
- 沙欢李焕勇罗发汤庆新李培森
- 关键词：放电等离子烧结红外透过率
