公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

GaN转移电子器件的性能与基本设计: 2008年; 基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm-2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Ncrit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.; 邵贤杰陆海张荣郑有炓李忠辉; 关键词：GAN 最高频率

全选清除导出

共1页<1>

国家重点实验室开放基金(9140C1401010701)