教育部科学技术研究重点项目(108124)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 相关作者：程国安郑瑞廷梁昌林韩东艳陈科帆更多>>
- 相关机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- Fe／Cu纳米多层薄膜中内应力对其力学性能的影响
- 2011年
- 利用直流磁控溅射方法制备了Fe/Cu纳米多层膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、薄膜应力分布测试仪和纳米压痕技术研究了不同周期结构Fe/Cu纳米多层薄膜的内应力及其纳米力学性能.在Fe/Cu纳米多层薄膜中,由于铁和铜的结构和本征性能的差异,形成多层膜结构后存在张应力,其张应力在周期T=10时达到910.08 MPa,对应的纳米硬度为12.3 GPa.随着多层薄膜调制周期数T的增加而内应力逐渐降低,纳米硬度和弹性模量随着张应力缓释也出现下降.根据纳米薄膜内应力对其力学性能的影响,探讨了内应力与薄膜纳米力学性能的相关性.
- 艾利娟祝江平吴晓玲郑瑞廷程国安
- 关键词：内应力弹性模量
- Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响
- 2010年
- 利用MEVVA离子源在多壁碳纳米管阵列中注入Zn元素,实现多壁碳纳米管阵列的Zn离子掺杂,分析Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响.研究发现:Zn离子注入会使多壁碳纳米管顶端产生结构损伤,由多层石墨结构的碳纳米管转变为无定形碳纳米线,Zn与C形成C:Zn固溶复合结构.较低注入剂量下形成的C:Zn复合结构使有效功函数降低,场电子发射的开启电场和阈值电场分别由0.80和1.31V/μm降低到0.66和1.04V/μm,提高了多壁碳纳米管阵列的场发射性能.大注入剂量造成的严重结构损伤会降低场增强因子,使场发射性能下降.
- 陈科帆邓建华赵飞程国安郑瑞廷
- 关键词：多壁碳纳米管离子注入场发射性能
- TiAlN薄膜的磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积制备的研究被引量：1
- 2011年
- 采用磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术,在室温、钛合金和Si(100)单晶表面制备了TiAlN薄膜.利用SEM、XRD、EDS和XPS等对薄膜的微观组织结构及化学组分进行了观察测试分析,探讨了磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术的工艺参数对TiAlN薄膜结构的影响.
- 梁昌林程国安郑瑞廷韩东艳
- 关键词：TIALN薄膜梯度过渡层钛合金
