高功率半导体激光国家重点实验室基金(010602)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究被引量：1
- 2012年
- 详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.
- 张帆李林马晓辉李占国隋庆学高欣曲轶薄报学刘国军
- 关键词：INGAAS/GAAS应变量子阱增益
- GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算被引量：2
- 2011年
- 本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟合曲线峰值的变化计算了带间跃迁对线宽展宽因子的影响.最后,分别讨论和计算了自由载流子吸收和带隙收缩对线宽展宽因子的影响.结果表明,带间跃迁和带隙收缩对线宽展宽因子的影响较大(α因子值分别为22.562,-6.853),而自由载流子吸收对线宽展宽因子的影响较小(只有-0.605).
- 张帆李林王勇邹永刚李占国马晓辉隋庆学刘国军
- 关键词：半导体激光器增益
- 高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征被引量：1
- 2010年
- 利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度（-5×1010cm-2）的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs（In组分的摩尔分数为12%）低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光谱线宽为24 meV.研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性.
- 李林张彬李占国李梅刘国军
- 关键词：INAS量子点发光特性
- 用于先进太阳电池的InAs量子点材料制备与表征
- 2010年
- 利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密度的InAs量子点材料。
- 李林李占国王勇李梅王晓华芦鹏曲轶薄报学刘国军万春明
- 关键词：太阳电池INAS量子点
- Ⅲ-Ⅴ族材料半导体激光器线宽展宽因子研究
- 2011年
- 利用简单模型研究了GaAs、InP和InAs三种材料的半导体激光器其线宽展宽因子(α因子)。根据增益理论模拟计算了不同载流子浓度情况下三种材料的增益曲线,通过微分增益和光子能量对载流子浓度的微分分析了带间跃迁对α因子的影响,并综合各个方面的影响得到了三种材料的α因子。结果表明,由于InAs材料带隙和导带有效质量较小容易实现大的增益,但同时其线宽展宽因子也最大;InP具有最小的线宽展宽因子。对于有源区材料带隙和导带有效质量较大的激光器材料,在计算线宽展宽因子时可以忽略自由由载流子吸收对它的影响。
- 张帆曾丽娜马晓辉李林
- 关键词：半导体激光器增益
