国家重点基础研究发展计划(2006CB921803)
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 相关作者：朱顺明顾书林金国钧汤琨郑有炓更多>>
- 相关机构：南京大学绍兴文理学院南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信交通运输工程更多>>
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 以MOCVD系统生长Zn_(1-x)Mg-xO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn_(1-x)Mg_xO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31 eV覆盖到5.02 e...
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- 文献传递
- 量子相变和量子临界现象被引量：3
- 2009年
- 本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象的方案,分析了密度驱动、无序驱动和关联驱动的金属-绝缘体相变;继续利用量子临界性的概念探讨如重电子化合物、铜氧化物和巡游铁磁体这类复杂的相互作用多粒子系统;最后选择量子点、碳纳米管和单层石墨为例,介绍了量子临界性在低维和纳米系统研究中的作用。
- 金国钧冯端
- 关键词：量子相变标度重正化
- N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1
- 2008年
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆接触是必需的。研究了氮气氛条件下,不同温度快速退火对氮掺杂ZnO样品的电学性质以及Ni/Au与其接触特性的影响。原生样品表现为弱的肖特基接触,适当温度退火后,由肖特基转成了欧姆接触,650℃退火后得到最小比接触电阻率8×10-4Ω·cm2。霍尔测量表明550℃快速退火后,样品的导电类型由p型转变成了n型。采用AES和GXRD分别研究了不同退火温度下Au、Ni、Zn、O的深度分布变化及退火后所生成的合金相。实验结果表明,退火所导致的薄膜电学性质的变化以及界面态和表面态的增加是接触特性变化的原因。
- 单正平顾书林朱顺明刘伟刘少波刘雪冬汤琨张荣郑有炓
- 关键词：NI/AU快速退火欧姆接触
- 超导隧道结中的电流相位关系被引量：3
- 2009年
- 计算了等自旋配对超导隧道结中的直流Josephson电流.结果表明,当两侧超导体中配对势的轨道对称性分别属于磁点群D4的A不可约表示和2E不可约表示的情况下,电流相位关系是I∝sin4φ.
- 吴义华王振彦沈瑞
- 关键词：超导隧道结
- GaN转移电子器件的性能与基本设计
- 2008年
- 基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm-2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Ncrit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.
- 邵贤杰陆海张荣郑有炓李忠辉
- 关键词：GAN最高频率
- p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质被引量：1
- 2008年
- 通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意掺杂碳元素及其相关杂质对薄膜的作用。实验结果和讨论为解决ZnO的p型掺杂难题提供了一条途径。
- 汤琨顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型
- Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2008年
- 研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流子浓度出现一个最大值,然后随着Ga的掺杂量增大而下降,反映了高浓度掺杂Ga会出现Ga代O位的补偿效应。光致发光谱(PL)带边和吸收谱发生红移,并且衍射峰向大角度偏移,可能Ga的掺杂会导致带隙变窄。应用第一性原理软件对Ga、Mn共掺的ZnO体系的电子结构进行理论计算,结果表明共掺杂样品相比单Mn掺杂的ZnO体现出了半金属特性。
- 吴孔平顾书林朱顺明
- 关键词：化合物半导体稀磁半导体半金属
- P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
- 通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比...
- 汤琨顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型
- 文献传递
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 2008年
- 以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/ZnO基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响应度1.9×10-4A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比可见光450nm处的响应度高出两个数量级。
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- Zigzag边纳米石墨带超导结中的可控0-π相变
- 2009年
- 文章作者利用实空间格林函数方法研究了超导体-zigzag边纳米石墨带-超导体(SGS)约瑟夫森结中的超导输运行为.结果发现:(1)通过一个外加横向电场可以使该超导结的超流方向发生翻转,即发生超导0-π相变;(2)通过改变纳米石墨带的长度或者其上的门电压,同样也可以使它发生0-π相变.由于可以用外电场方便地控制该超导结0-π相变的发生,使得它有可能在未来的量子计算以及超导电子学中发挥巨大的作用.
- 梁奇锋余勇王强华董锦明
- 关键词：超导电性约瑟夫森效应
