国家自然科学基金(60678053)
- 作品数：14 被引量：39H指数：4
- 相关作者：郭亨群王启明王国立吕蓬申继伟更多>>
- 相关机构：华侨大学中国科学院南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性被引量：2
- 2007年
- 为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸。在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光。
- 申继伟郭亨群曾友华吕蓬王启明
- 关键词：射频磁控反应溅射氮化硅薄膜纳米硅光致发光
- 富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性被引量：9
- 2007年
- 采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究。研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮化硅薄膜,薄膜中晶态氮化硅颗粒的平均粒径为33 nm;在氮气中退火后,纳米颗粒增大;在空气中退火后,薄膜被氧化,晶态颗粒消失。在4.67 eV的光激发下,原沉积薄膜中观测到7个强的PL峰,其峰位分别为3.39,3.24,3.05,2.82,2.61,2.37和2.11 eV。在氮气和空气中退火后,PL峰位和强度有变化。对其光致发光机制进行了探讨,认为硅悬挂键≡Si,氮悬挂键=N,硅错键≡Si-Si≡以及与氧有关的缺陷在富硅氮化硅薄膜高强度荧光发射中起主导作用。
- 曾友华郭亨群王启明
- 关键词：纳米材料氮化硅薄膜射频磁控反应溅射光致发光退火
- 全数字锁相环高频感应加热系统的设计被引量：1
- 2009年
- 为解决感应加热系统中频率跟踪的问题,使感应加热系统始终工作在最佳状态,提出一种新型的全数字锁相环(ADPLL)高频感应加热系统的设计方案.该方案是基于现场可编程门阵列,采用比例积分控制的方法.仿真结果表明,ADPLL能够及时有效地进行频率锁定,具有控制跟踪速度快、精度高、可调性强及捕获频带宽等优点.根据不同谐振频率的对象,可以通过调节1/N分频器的参数N,K模计数模块的参数K和积分模块的计数器n的位数,使得ADPLL工作处在最佳状态.
- 余景华杨冠鲁郭亨群
- 关键词：现场可编程门阵列全数字锁相环频率跟踪比例积分
- OFDM系统中64点FFT的FPGA设计被引量：7
- 2008年
- 文中叙述了一种基于FPGA的64点采用基4碟形结构的FFT(快速傅立叶变换)的设计以及在新一代5G通讯系统OFDM(正交频分复用)中的应用;每一级的设计结果与Ximulinx的仿真结果进行比较,以保证FFT设计过程的正确性;仿真结果表明该方案设计的FFT具有精度高,速度快,占用资源少等优点。
- 余景华郭亨群
- 关键词：快速傅立叶变换正交频分复用
- 纳米Si/SiN_x薄膜的制备及对Nd∶YAG激光器的被动调Q被引量：4
- 2008年
- 为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd∶YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出。并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响。在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论。结果表明,纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果,具有潜在的研究及应用价值。
- 吕蓬郭亨群王加贤李立卫申继伟
- 关键词：激光技术射频磁控反应溅射ND:YAG激光器被动调Q
- Z扫描法研究nc-Si／SiNx多量子阱材料非线性光学特性被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料。对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质。采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性。实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强。
- 沈海波郭亨群王国立王加贤吴志军宋江婷徐骏陈坤基王启明
- 关键词：Z-扫描非线性折射率
- 纳米Si镶嵌SiN_x薄膜实现Nd:YAG激光器被动锁模被引量：7
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术和热退火处理技术制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx薄膜(nc-Si-SiNx),薄膜厚度为200 nm.由X射线衍射(XRD)谱计算得出,经800℃连续3 h退火的薄膜中的Si晶粒平均尺寸为1.7 nm.把纳米Si镶嵌SiNx薄膜作为可饱和吸收体插入闪光灯抽运的平凹腔Nd∶YAG激光器内,实现1.06μm激光的被动锁模运转.当激光器腔长为120 cm时,获得平均脉冲宽度32 ps,输出能量25 mJ的单脉冲序列,脉冲序列的包络时间约480 ns,锁模调制深度接近100%.量子限域效应使得纳米Si的能隙宽度大于1.06μm光子能量,所以双光子饱和吸收和光生载流子的快速能量弛豫是导致纳米Si镶嵌SiNx薄膜实现1.06μm激光被动锁模的主要原因.
- 王加贤郭亨群李立卫吕蓬
- 关键词：激光技术纳米硅被动锁模双光子吸收
- 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究被引量：5
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。
- 吕蓬郭亨群申继伟王启明
- 关键词：射频磁控反应溅射光学非线性量子限域效应Z扫描
- a-Si/a-SiN_x超晶格材料光学特性被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料。利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究。结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应。在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成。
- 张春华郭亨群王国立申继伟徐骏陈坤基
- 关键词：量子限制效应射频磁控反应溅射
- 掺Al富Si/SiO_2薄膜制备及紫外发光特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（FFIR）、光致发光（PL）和光致发光激发谱（PLE）检测。结果表明SiO2薄膜中存在纳米Si晶粒，并且含有AlOx成分。室温下，可以观察到位于3．24～3．42ev的较强紫外光致发光，其发光强度随退火温度和Al含量的变化而变化。分析表明该发光带与SiO2中的氧空位缺陷有关，缺陷分布与纳米＆的形成以及不同Al含量的氧化有关，从而影响薄膜发光强度。
- 王国立郭亨群
- 关键词：铝掺杂射频磁控溅射
