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国家自然科学基金(60806002)

作品数:3 被引量:6H指数:1
相关作者:姚斌张振中申德振张吉英李永峰更多>>
相关机构:吉林大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇对立
  • 1篇氧化锌
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结二极管
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇溅射
  • 1篇共掺
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇ZN

机构

  • 2篇吉林大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇吉林师范大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 2篇张吉英
  • 2篇申德振
  • 2篇姚斌
  • 2篇张振中
  • 1篇韩舜
  • 1篇张炳烨
  • 1篇李炳辉
  • 1篇秦杰明
  • 1篇杨景海
  • 1篇赵延民
  • 1篇隋瑛锐
  • 1篇曹建明
  • 1篇刘卫卫
  • 1篇邓蕊
  • 1篇单崇新
  • 1篇李永峰
  • 1篇王立昆
  • 1篇郑剑

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇吉林师范大学...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量:5
2010年
利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。
李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振
关键词:氧化锌分子束外延电致发光
B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究被引量:1
2010年
利用射频磁控溅射技术用N2和O2作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的p型ZnO薄膜.Hall测量结果表明,室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2.3Ωcm,1.2×1017cm-3,11 cm2/Vs.制备了ZnO基同质p-n结,研究了它们的I-V特性.探讨了B-N共掺的p型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制.同时阐明了B-N共掺的p型ZnO薄膜的导电机制.
隋瑛锐姚斌杨景海
关键词:射频磁控溅射ZNO薄膜
热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文)
2011年
MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料。由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得。热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段。利用MOCVD方法制备了单一立方相Mg0.57Zn0.43O合金薄膜,研究了薄膜的退火行为对薄膜结构和光学性能的影响。研究发现,450℃的原生样品经过550,650,750,850℃氧气氛退火后,薄膜的结晶特性和表面形貌得到明显的改善。随着退火温度的增加,薄膜吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽。X光电子能谱分析发现,随着退火温度增加,Zn含量逐渐减小,这种现象被归结为组分蒸汽压的差异。在退火温度达到950℃时,样品发生了分相,出现了低Mg含量的六角相MgZnO。
曹建明秦杰明张振中王立昆郑剑韩舜赵延民张炳烨张吉英申德振
关键词:热退火表面形貌晶粒尺寸
共1页<1>
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