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本征GaAs量子阱中电子自旋扩散输运的时-空分辨吸收光谱研究被引量：1: 2009年; 发展了一种时-空分辨圆偏振光抽运-探测光谱及其理论,并用于本征GaAs量子阱中电子自旋扩散输运的实验研究.获得室温下本征GaAs量子阱中的"自旋双极扩散系数"为Das=37.5±15cm2/s.此结果比用自旋光栅法测量到的掺杂GaAs量子阱中电子自旋扩散系数小.解释为是由于"空穴库仑拖曳"效应减慢了电子自旋波包的扩散输运.; 余华梁张秀敏滕利华文锦辉林位株赖天树; 关键词：GAAS量子阱

半金属锑薄膜中电子动力学研究: 2009年; 采用时间分辨抽运-探测透射光谱,研究了不同波长和不同激发流密度下半金属Sb薄膜的超快电子动力学过程.透射变化率的时间延迟扫描曲线显示在延迟零点附近出现强的振荡,正的吸收饱和峰在亚皮秒时间内衰减为负的吸收增强峰.之后,负的吸收增强峰在数皮秒时间内甚至再次演变为吸收饱和.正饱和峰和负吸收峰幅度正比于激发流密度和光波长.对这些现象进行了分析,引入"缺陷"态模型及考虑"缺陷"态对光激发电子的快速俘获和逐渐释放,能够合理、半定量地解释实验观察到的所有现象.; 陈宇辉王阳左方圆赖天树吴谊群; 关键词：半金属电子动力学

改进型零附加相位光谱相位相干电场重构系统对啁啾脉冲的测量被引量：3: 2010年; 现有的基于光谱相位相干电场重构法(SPIDER)的脉冲测量系统,在测量啁啾脉冲时容易出现误差.本文提出一个改进型零附加相位光谱相位相干电场重构系统(MZAP-SPIDER),来解决上述问题.在实验上,利用改进后的SPIDER系统测量了钛宝石飞秒激光器输出的脉冲及其经80mm长的BK7玻璃块展宽得到的啁啾脉冲.结果表明,该系统能胜任啁啾脉冲的相位测量.; 文锦辉刘俊张慧陈佳龙黄梓柱焦中兴赖天树; 关键词：啁啾脉冲

Effects of cavity-dispersion noncoaxiality on the generation of ultrabroadband femtosecond pulses被引量：1: 2008年; The effects of cavity-dispersion noncoaxiality (CDN) on the generation of ultrabroadband femtosecond pulses in KLM Ti:sapphire laser were investigated theoretically and experimentally. It was predicted that when the laser sub-cavity works near the coaxial operation point, the limitation of CDN on the bandwidth broadening is minimum, which is favorable for ultrabroadband pulse generation. On the basis of this prediction, femtosecond pulses with bandwidth of 650 to 1000 nm were directly generated from a home built KLM Ti:sapphire laser. To our knowledge, they are the broadest bandwidth pulses produced from KLM Ti:sapphire laser with similar oscillator configuration and gain crystal length of 3 mm.; JIAO ZhongXing LEI Liang HUANG ZhiLing WEN dinHui LAI Tianshu LIN WeiZhu; 关键词：激光技术

InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究: 2008年; 采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0·1Ga0·9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.; 陈小雪滕利华刘晓东黄绮雯文锦辉林位株赖天树; 关键词：电子自旋 INGAN 自旋极化

室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性: 2008年; 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.; 刘晓东王玮竹高瑞鑫赵建华文锦辉林位株赖天树

室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究: ＜正＞稀磁半导体 GaMnAs 是一种铁磁性半导体材料,在未来的半导体自旋电子器件制造中,是一中潜在的高效率空穴自旋极化源。然而,由于其居里远低于温度,目前其铁磁性仅在低温环境下表现出来。在室温下,GaMnAs 的性质如...; 赖天树刘晓东焦中兴王玮竹赵建华林位株; 文献传递

本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究: 2008年; 采用时间分辨圆偏振光和线偏振光抽运-探测光谱,研究了9.6 K温度下本征GaAs中自旋极化电子与非极化电子的复合动力学及其随光子能量演化.发现自旋极化对电子复合动力学具有显著影响.仅在导带底附近测量时,两种方法测试到的复合寿命一致,而在高过超能量电子态测量时,两种方法测试到的复合寿命不一致.指出时间分辨法拉第光谱中,用于反演求解电子自旋相干寿命的电子复合寿命应该使用圆偏振光抽运-探测获得的复合寿命,而不是线偏振光抽运-探测获得的寿命.理论计算与实验结果吻合较好.; 滕利华余华梁黄志凌文锦辉林位株赖天树; 关键词：自旋极化 GAAS

本征GaAs中电子自旋极化的能量演化研究被引量：1: 2008年; 采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究9.6 K温度下本征GaAs中电子自旋相干弛豫动力学,发现反映电子自旋相干的吸收量子拍的振幅随光子能量的增加呈非单调性变化.考虑自旋极化依赖的带填充效应和带隙重整化效应,发展了圆偏振光抽运-探测光谱的理论模型.该模型表明量子拍的振幅依赖于所探测能级的电子初始自旋极化度,自旋探测灵敏度以及带填充因子,三者的乘积导致了量子拍振幅的非单调变化,与实验结果一致.给出了能级分裂的二能级系统中电子自旋极化度定义.发现在高能级上可以获得100%的初始电子自旋极化度.; 滕利华余华梁左方圆文锦辉林位株赖天树; 关键词：GAAS

GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究: ＜正＞半导体自旋电子学是一个新兴学科,研究半导体中电子自旋的注入、自旋偏振和相干的弛豫、输运、检测与控制等基本问题,为半导体自旋电子器件的研制提供物理基础。本文使用飞秒时间分辨圆偏振光泵浦-探测光谱实验研究了 Voigt...; 赖天树滕利华刘晓东焦中兴林位株; 文献传递

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