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国家重点实验室开放基金(WUT2006M02)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：季峰官建国张洪强徐静平李春霞更多>>
相关机构：华中科技大学香港大学武汉理工大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇电特性
  • 1篇栅介质
  • 1篇退火
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇铪
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇华中科技大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇香港大学

作者

  • 1篇黎沛涛
  • 1篇李春霞
  • 1篇徐静平
  • 1篇张洪强
  • 1篇官建国
  • 1篇季峰

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响被引量：1
2008年
采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON/HfTiSiON)物理厚度变化(ΔTox)和电容等效厚度变化(ΔCET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。
季峰徐静平张洪强黎沛涛李春霞官建国
关键词：高K栅介质氮化
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共1页<1>
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