国家自然科学基金(60166002)
- 作品数：15 被引量：35H指数：3
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- 有限深量子阱中电子迁移率的压力效应
- 2005年
- 考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着阱宽的增加,局域类体光学声子模对迁移率的影响逐渐增加;两种声子模的散射作用均使电子迁移率随外加压力增加而减小,在窄阱时压力效应更加明显.
- 郝国栋班士良
- 关键词：迁移率压力效应GAAS/ALXGA1-XAS
- GaAs和ZnSe中极化子的压力效应
- 2005年
- 考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的Ⅲ～Ⅴ族GaAs和Ⅱ～Ⅵ族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对Ⅱ～Ⅵ族材料的影响比较大.
- 戈华班士良孟建英
- 关键词：极化子压力效应GAASZNSE
- ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化
- 2002年
- 考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子迁移率随压力的变化,提出了非自由基超晶格系统的等效外延层模型.研究表明,内部应变和衬底对系统的电子迁移率随压力变化有重要影响,自由基和非自由基系统中电子迁移率的压力特性有很大区别.
- 郭子政
- 关键词：电子迁移率静压超晶格硒化锌电子输运特性
- ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变被引量：3
- 2002年
- 用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。
- 郭子政梁希侠班士良
- 关键词：ZNSE静压硒化锌砷化镓光致发光
- GaN/GaAlN宽量子阱的二类激子特征(英文)被引量：5
- 2002年
- 考虑了内建电场的影响 ,用变分法计算了 Ga N/Ga Al N量子阱 (QW)的电子子带和激子结合能。结果表明 ,对于阱宽较大情形 ,电子和空穴高度局域在 QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使 QW激子表现出二类阱特征。重空穴基态结合能对
- 郭子政梁希侠班士良
- 关键词：内建电场激子变分法
- 有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应被引量：3
- 2005年
- 计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能.得到了压力下三类光学声子模对极化子结合能影响随阱宽的变化关系.结果表明:极化子结合能随外加压力增加.
- 孟建英班士良王树涛
- 关键词：极化子结合能压力效应GAAS/ALXGA1-XAS
- 磁场下半导体GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中的杂质态被引量：10
- 2004年
- 对异质结势采用三角势近似 ,考虑屏蔽效应 ,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态 ,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系。结果表明 ,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子波函数的定域性增强 ,从而对杂质态的结合能有明显的影响 ,结合能随磁感应强度的增强而显著增大。还计算了杂质位置、电子面密度产生的导带弯曲以及屏蔽效应诸因素对结合能的影响。结果显示 ,结合能对电子面密度和杂质位置的变化十分敏感 。
- 张敏班士良
- 关键词：异质结磁场杂质态屏蔽
- 静压下Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁被引量：1
- 2002年
- 利用波恩公式近似建立了应变与介电常量的定量关系 考虑应变对介电常量、有效质量、晶格常量 (体积 )等诸多物理量的影响 ,用变分法计算了静压下Zn1 -xCdxSe/ZnSe窄量子阱中激子结合能和光跃迁能量随压力的变化
- 郭子政梁希侠班士良
- 关键词：静压介电常量激子光跃迁
- 磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中束缚极化子的影响被引量：10
- 2004年
- 对 Ga As/ Alx Ga1 - x As单异质结系统引入三角势近似异质结势 ,同时考虑体纵光学 (L O)声子和有效近似下两支界面光学 (IO)声子的影响 ,采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的光学极化子结合能的影响 .利用改进的 L ee- L ow- Pines(L L P)中间耦合方法处理电子 -声子和杂质 -声子的相互作用 ,计算了杂质态结合能随杂质位置、磁场强度、电子面密度的变化关系 .结果表明 ,极化子结合能随磁场呈现增加的趋势 ,其中 L O声子对结合能的负贡献受磁场影响显著 ,而 IO声子的负贡献受磁场的影响并不明显 ,但当杂质靠近界面时 ,杂质 - IO声子相互作用对磁场的影响很敏感 .结果还表明 ,导带弯曲作用不容忽略 ;电子像势对结合能的影响很小 ,可以忽略 .
- 张敏班士良
- 关键词：GAAS/ALXGA1-XAS异质结磁场束缚极化子结合能
- Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数被引量：2
- 2002年
- 考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ -Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数 ,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好 ,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。
- 郭子政梁希侠班士良
- 关键词：跃迁能量光跃迁光致发光
