国家高技术研究发展计划(2002AA3Z1110)
- 作品数：6 被引量：23H指数：3
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- 相关机构：北京有色金属研究总院清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响
- 2006年
- 300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NH3混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.
- 冯泉林史训达刘斌刘佐星王敬周旗钢
- 关键词：氧沉淀单晶硅片内吸杂RTA
- 降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺被引量：6
- 2006年
- 利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.
- 库黎明王敬周旗钢
- 关键词：预氧化氧化层各向异性腐蚀
- N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响被引量：1
- 2005年
- 快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4 h+1000℃,16 h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度。使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化。发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加。
- 冯泉林周旗钢王敬刘斌刘佐星
- 关键词：硅抛光片氧沉淀内吸杂原子力显微镜
- 砂轮粒径对300mm Si片双面磨削影响的研究被引量：8
- 2008年
- 在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕和局部平整度,并分别进行了比较。结果表明,选择粒度更细的#3000砂轮能够有效地弱化Si片表面的磨削印痕,同时改善边缘局部平整度差的问题,从而提高Si磨削片表面的局部平整度。
- 葛钟闫志瑞库黎明陈海滨冯泉林张国栋盛方毓索思卓
- 关键词：硅片
- 快速退火气氛对300mm CZ硅片吸杂效应和表面微观结构的影响(英文)
- 2008年
- 研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密度的氧沉淀;而N2气氛处理的硅片的洁净区较厚、氧沉淀密度较低.但是两种气氛下延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.X射线光电子能谱和原子力显微镜扫描的结果显示N2/NH3混合气氛处理使表面出现了强烈的氮化反应,利用氮化反应可以解释快速退火气氛对洁净区分布的影响.
- 冯泉林何自强常青周旗钢
- 关键词：本征吸杂快速退火X射线光电子能谱原子力显微镜
- 双面抛光工艺中压力对300mm硅片表面形貌的影响被引量：8
- 2006年
- 利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。
- 库黎明李耀东周旗钢王敬
- 关键词：硅片表面形貌
