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国防科技重点实验室基金(9140C8504030810)

作品数:5 被引量:33H指数:3
相关作者:邱骥刘吉延李新索相波孙晓峰更多>>
相关机构:装甲兵工程学院更多>>
发文基金:国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇微弧氧化
  • 2篇粒径
  • 2篇纳米SIO2
  • 2篇合金
  • 2篇合金表面
  • 2篇分散剂
  • 1篇氧化层
  • 1篇影响因素
  • 1篇陶瓷层
  • 1篇微观形貌
  • 1篇微弧氧化层
  • 1篇微弧氧化陶瓷...
  • 1篇稳定性
  • 1篇粒径分布
  • 1篇铝合金
  • 1篇铝合金表面
  • 1篇镁合金
  • 1篇镁合金表面
  • 1篇纳米SIO

机构

  • 5篇装甲兵工程学...

作者

  • 4篇刘吉延
  • 4篇邱骥
  • 3篇李新
  • 2篇孙晓峰
  • 2篇索相波
  • 1篇刘谦
  • 1篇马世宁
  • 1篇朱海燕

传媒

  • 2篇装甲兵工程学...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
电解液中添加纳米SiO_2对7A52铝合金表面微弧氧化陶瓷层生长过程及性能的影响被引量:14
2010年
为了改善微弧氧化陶瓷层表面疏松状况,通过在电解液中添加纳米SiO2颗粒,在7A52铝合金表面制备了含纳米SiO2颗粒的复合陶瓷层。添加纳米SiO2颗粒后,试样表面电流密度也大幅度提高,陶瓷层生长速度提高了近一倍。采用XRF,SEM,维氏硬度计和往复式摩擦磨损试验机对陶瓷层进行了考察。结果表明,纳米SiO2进入了陶瓷层,纳米SiO2颗粒复合处理后,陶瓷层更加致密,显微硬度和耐磨性大幅度提高。
索相波邱骥刘吉延
关键词:微弧氧化陶瓷层纳米SIO2颗粒表面性能
不同分散剂对纳米SiO2水中分散的影响被引量:7
2008年
选取六偏磷酸钠(SHMP)、十二烷基苯磺酸钠(SDBS)及KCl作分散剂,并采用超声分散方法,制备纳米SiO2悬浮液,对纳米SiO2的水中分散性能进行研究。测试分散体系中纳米SiO2粒子的粒径及分布、Zeta电位及透光率,探讨了不同分散剂对纳米SiO2分散性能的影响。结果表明:不同分散剂对纳米SiO2的粒径都有明显影响,但粒径分布宽度差别较大;同在分散粒径较小的条件下,分别添加3种分散剂的悬浮液体系具有不同的稳定性,其中含SDBS的分散体系因静电和空间位阻的作用而表现出良好的分散稳定性。
刘吉延邱骥索相波
关键词:纳米SIO2粒径分布
军用装备镁合金表面微弧氧化层SEM微观形貌及耐蚀性分析被引量:1
2011年
利用微弧氧化技术的恒电流方式,在含有Na:SiO,和KF等电解质的溶液中制备了AZ91D镁合金微弧氧化层,通过扫描电镜观察分析及Cu加速盐雾腐蚀试验,研究了电解液中Na:SiO,和KF质量浓度对微弧氧化层结构及耐蚀性的影响。结果表明:在相同反应条件下,微弧氧化层厚度和表面粗糙度随Na:SiO,和KF质量浓度的增加而增加,微弧氧化层的耐蚀性取决于其表面粗糙度和厚度,粗糙度小、具有一定厚度的致密微弧氧化层耐蚀性好。
李新邱骥刘谦朱海燕
关键词:镁合金微弧氧化耐蚀性
纳米SiO_2水中分散性能的影响因素研究被引量:10
2010年
采用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)作为分散剂,通过超声波作用对纳米SiO2粉体进行水中分散,并采用分散体系粒径分析和测定Zeta电位及透光率的方法,研究了SDBS含量、超声分散时间等因素对分散性能的影响。结果表明,纳米SiO2的粒径随分散剂含量、超声时间的增加,表现出先减小后缓慢增大的变化趋势。在适量SDBS的条件下,纳米SiO2分散体系因静电和空间位阻的作用而表现出良好的分散稳定性。SDBS对纳米SiO2粉体的较佳分散工艺为:SDBS含量为1.6%,超声处理时间为18min。
刘吉延孙晓峰邱骥李新
关键词:纳米SIO2分散剂稳定性粒径
SmCo薄膜磁控溅射沉积速率的影响因素被引量:1
2011年
SmCo薄膜的厚度是影响其磁性能的重要因素,而沉积速率是控制薄膜厚度的关键。采用直流磁控溅射工艺制备SmCo薄膜,设计正交实验并通过数理统计方法研究了溅射工艺参数中溅射功率、靶基距及氩气压强对SmCo薄膜沉积速率的影响,并同时考察了不同厚度SmCo薄膜的磁性能变化规律。研究结果表明:溅射功率与靶基距都对薄膜的沉积速率有较大的影响,其中在溅射功率为40~120W范围内时,随着溅射功率的增大SmCo薄膜的沉积速率逐渐提高;在靶基距为50~70mm的范围内,SmCo薄膜的沉积速率随靶基距的增大而逐渐降低;而在氩气压强处于0.7~1.5Pa范围内时,SmCo薄膜的沉积速率几乎不随氩气压强的改变而变化。在溅射功率为80W、靶基距为60mm及氩气压强为1.1Pa的工艺条件下,SmCo薄膜的沉积速率具有很好的稳定性。随膜厚从0.59μm增加到0.90μm,SmCo薄膜的矫顽力由23.4kA/m降低到8.2kA/m。
刘吉延马世宁孙晓峰李新
关键词:SMCO磁控溅射工艺参数沉积速率
共1页<1>
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