全球变化研究国家重大科学研究计划(2009CB929102)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- 相关机构：北京大学中国科学院襄樊学院更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 多层交替沉积后退火处理MgB_2超导薄膜上约瑟夫森结的制备
- 2012年
- 在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN～2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值.
- 邓辉戴倩于海峰魏彦锋王福仁任建坤崔丽敏吴玉林赵士平陈莺飞李洁郑东宁
- 关键词：退火MGB2约瑟夫森结
