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广东省战略性新兴产业专项(2011A081301003)

作品数：2 被引量：7H指数：2
相关作者：宋晶晶赵芳范广涵丁彬彬张运炎更多>>
相关机构：华南师范大学更多>>
发文基金：广东省战略性新兴产业专项国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 2篇蓝光
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇多量子阱
  • 1篇英文
  • 1篇数值模拟
  • 1篇阻挡层
  • 1篇量子
  • 1篇量子效率
  • 1篇内量子效率
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇发光二极管(...
  • 1篇EBL
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN
  • 1篇值模拟

机构

  • 2篇华南师范大学

作者

  • 2篇丁彬彬
  • 2篇范广涵
  • 2篇赵芳
  • 2篇宋晶晶
  • 1篇张涛
  • 1篇郑树文
  • 1篇熊建勇
  • 1篇张运炎
  • 1篇许毅钦
  • 1篇周德涛
  • 1篇喻晓鹏

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高(英文)被引量：2
2013年
分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。
丁彬彬赵芳宋晶晶熊建勇郑树文喻晓鹏许毅钦周德涛张涛范广涵
关键词：发光二极管(LED)
具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文)被引量：5
2013年
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。
赵芳张运炎宋晶晶丁彬彬范广涵
关键词：发光二极管数值模拟
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