河南省科技攻关计划(0424210016)
- 作品数：5 被引量：22H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：8
- 2007年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。
- 汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄
- 关键词：晶化率电导率
- 硅基薄膜太阳电池窗口材料的研究进展被引量：13
- 2007年
- 综述了硅基薄膜太阳电池窗口材料的发展及应用现状,比较分析了几种常用窗口材料的光电性能,并讨论了掺杂剂的影响。最后展望了太阳电池窗口材料的研究和发展趋势。
- 汪昌州杨仕娥卢景霄
- 关键词：太阳电池掺杂
- 快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究被引量：2
- 2005年
- 鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.
- 王海燕卢景霄段启亮陈永生靳瑞敏张宇翔杨仕娥
- 关键词：无机非金属材料直流反应磁控溅射
- N^+注入ZnO薄膜表面性质的变化被引量：1
- 2005年
- 用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化。经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002)。经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1μm。N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型。
- 王海燕段启亮陈泳生靳瑞敏杨仕娥卢景霄
- 关键词：无机非金属材料直流反应磁控溅射N^+注入P型掺杂
- 掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
- 2007年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。
- 汪昌州杨仕娥赵尚丽文书堂卢景霄
