国家自然科学基金(50675218)
- 作品数：3 被引量：18H指数：2
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- 相关机构：中国科学院上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 锰对改善CaBi_4Ti_4O_(15)高温压电陶瓷性能的研究被引量：15
- 2008年
- 采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15（CBT＋xmol%MnCO3）层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到162,同时机械品质因子由2700增加到4400,显示了硬性掺杂的效果.在100～600℃范围内,x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上,500℃的电阻率提高了约2个数量级（10^8Ω·cm）,电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段,压电系数d33由7提高到14.5.实验结果表明,Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景.
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- 关键词：压电陶瓷电阻率
- 锰掺杂CBT压电陶瓷的交流阻抗谱研究被引量：2
- 2007年
- 通过固相反应法制备了锰掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷,掺杂量x(MnCO3)从0到3.0%。添加锰以后,材料的直流电阻率先升高,再降低。通过交流阻抗谱分析,得到了各组分晶粒、晶界对电导的贡献。发现在少量掺杂时,锰原子同时进入晶粒及晶界,并改善高温下的导电性能。掺杂量为1.0%时,直流电阻率最大。但当x(MnCO3)大于3.0%时,锰原子开始富集于晶界,使材料性能恶化。
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- 关键词：无机非金属材料交流阻抗谱电阻率压电陶瓷
- 电泳沉积PNN-PZT陶瓷厚膜及其电学性能研究被引量：2
- 2009年
- 利用电泳沉积法分别在Al2O3/Pt和Pt金属基底上制备了厚度为10～40μm的0.3Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.7Pb(Zr,Ti)O3(PNN-PZT)厚膜,研究了pH值、Zeta电位与PNN-PZT悬浮液稳定性的关系,探索了沉积电压、沉积时间与电泳沉积量的关系.结果表明,当添加少量分散剂聚乙二醇时,pH值在3.5～5.5较宽的范围内,悬浮液具有较高的Zeta电位,容易制得稳定的悬浮液.沉积电压为21V,沉积时间为5min时,在Pt金属基底上电泳沉积得到的PNN-PZT厚膜,经过1200℃烧结30min后,SEM显微结构分析表明,厚膜致密,晶粒得到充分生长.电学性能测试显示此厚膜具有良好的铁电介电性能,其剩余极化强度P可达20.8μC/cm2,介电损耗tanδ为3.2%.
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- 关键词：电泳沉积电滞回线
