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利用双低温缓冲层和插入应变超晶格技术制备高质量InP-on-GaAs复合衬底的MOCVD生长(英文)被引量：2: 2008年; 提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术.研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著.并且,双低温缓冲层中的低温GaAs层存在一个最优生长厚度.当低温InP生长厚度一定,低温GaAs层的生长厚度达到优化生长厚度时,LT-InP/LT-GaAs双低温缓冲层能达到调节应变的最佳状态.最后,通过插入InGaP/InP应变超晶格,并且优化其在外延层中的插入位置,得到了高质量的InP-on-GaAs的复合衬底,2μm厚的InP外延层XRD-ω/2θ扫描的半高宽小于200″.; 周静任晓敏黄永清王琦; 关键词：MOCVD

近红外光学膜厚监控系统的研制被引量：8: 2004年; 　在光学真空镀膜膜厚监控过程中,近红外波段信号弱、外界干扰大、信噪比低,难于检测监控。运用相干检测、锁相放大原理,在光学真空镀膜机可见光波段监控系统的基础上,研制了锁相放大器和改装近红外探头组成的近红外光学膜厚监控系统,成功实现近红外膜厚监控信号的压噪、放大、滤波和检测监控。; 江绍基马云飞佘卫龙王自鑫朱析蔡志岗李宝军; 关键词：近红外光学薄膜膜厚监控锁相放大

半导体薄膜材料外延生长的蒙特卡罗模拟被引量：6: 2006年; 半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型,通过获得的原子沉积的表面图样和对原子簇大小分布的数学统计,得到提高生长温度或者降低沉积速率等量子点外延生长的优化条件。; 俞重远封强刘玉敏任晓敏; 关键词：蒙特卡罗模拟

基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响: 2004年; 　基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。; 周守利崇英哲黄永清任晓敏

影响半导体量子点生长因素的分析被引量：10: 2004年; 生长高面密度和尺寸均匀的量子点是半导体量子点实用化的关键。本文在已有研究工作的基础上 ,从材料本身的特性和生长量子点时的外界条件两方面总结了影响量子点生长的各种因素。; 杨红波俞重远刘玉敏黄永箴; 关键词：半导体量子点尺寸面密度实用化

Effect of the structural parameters of photonic crystal fibers on propagation characteristics: 2009年; 用完整向量的有限差别的时间域(FDTD ) 方法，这篇文章理论上探索 photonic 水晶纤维(PCF ) 的繁殖特征。基本指导模式，基本 cladding 模式的有效索引，模式领域直径，监禁损失，有效模式区域，和在 PCF 的色彩的分散的有效索引上的结构的参数的依赖分别地被学习了。研究为与一个特定的目的 PCF 设计介绍一本参考书。; TIAN Hong-da; 关键词：光子晶体光纤传输特性有限差分时域 FDTD法模场直径

基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器被引量：1: 2007年; 实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.; 吕吉贺黄辉任晓敏苗昂李轶群王睿黄永清王琦; 关键词：可调谐光电探测器

色散补偿光栅切趾强度对光谱特性影响的研究被引量：1: 2008年; 切趾强度的概念证明了在线性啁啾色散补偿光栅中切趾强度对光谱特性的影响远大于切趾包络函数本身。将其用于典型的色散补偿系统,通过逐步改变切趾强度对比了三种切趾包络函数:余弦、柯西和汉明函数的光谱响应。研究发现,由于切趾强度的影响,所有的切趾包络函数都具有近似的趋势。当切趾强度参数约为0.75时,色散均值与理想色散之间的偏离量最小,群时延影响较小,反射带宽较大,且光栅长度较短。结果表明,最佳色散强度参数为0.75,此时有最好的光谱特性。; 柴瑾俞重远刘玉敏王永钢; 关键词：光纤通信技术线性啁啾光纤光栅色散补偿群时延

InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备被引量：6: 2007年; 借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。; 王琦任晓敏熊德平周静吕吉贺黄辉黄永清蔡世伟; 关键词：光探测器

Explanation of Unusual Photoluminescence Behavior from InAs Quantum Dots with InAlAs Capping被引量：1: 2005年; The effect of different kinds of cap layers on optical property of InAs quantum dots (QDs) on GaAs (100) substrate was studied. Temperature dependent photoluminescence (PL) indicates that the PL integrated intensity from the ground state of InAs QDs capped with an intermediate InAIAs layer drops very little as compared to QDs capped with a thin InGaAs or GaAs cap layer from 15 K up to room temperature. PL integrated intensity ratio of the first excited to ground states for InAs QDs capped with an intermediate InAIAs layer is unexpectedly decreased with increasing temperature, which are attributed to phonon bottleneck effect. A virtual barrier is proposed to describe this physics process and shows good agreement with experimental results when fitting the curve with the value of the virtual barrier 30 meV.; Zhongyuan YUYongqiang WEI; 关键词：量子论光谱学

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国家重点基础研究发展计划(2003CB314901)