国家重点基础研究发展计划(2003CB314902)
- 作品数：11 被引量：25H指数：3
- 相关作者：任晓敏黄永清黄辉王琦陈良惠更多>>
- 相关机构：北京邮电大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 低温晶片键合技术及在通信光电子器件中的应用被引量：9
- 2004年
- 简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应用,指明表面改性是实现低温晶片键合的最有效手段。
- 王琦黄辉王兴妍陈斌黄永清任晓敏
- 关键词：晶片键合光电子器件通信
- 键合界面对面发射激光器光与热性质的影响
- 2008年
- 通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度>40nm,对器件的光、热特性不利.
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠
- 关键词：面发射激光器热导率电导率键合界面
- Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析被引量：6
- 2005年
- 利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果。最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考。
- 陈斌王兴妍黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：热应力剥离应力应变能晶片键合
- 用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力(英文)
- 2006年
- 在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.
- 何国荣杨国华郑婉华吴旭明王小东曹玉莲王青陈良惠
- 关键词：键合热应力有限元分析
- 键合界面对面发射激光器的光、热性质影响被引量：3
- 2007年
- 分析了采用双面键合长波长面发射激光器时,键合界面光吸收系数和电、热导率的变化对器件的光、热性质的影响。对于1λ光学腔的面发射激光器,键合界面吸收系数对器件光学性能影响较大,而对于1.5λ光学腔的面发射激光器,其光学性能基本不受键合界面吸收系数的影响。由有限元方法对面发射激光器的温度分布计算结果可知,当键合界面电、热导率小于GaAs电、热导率的1%时,激光器有源层的温度会有较大的上升。
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠
- 关键词：键合面发射激光器热导率
- 键合方法制备长波长面发射的实验和分析被引量：5
- 2007年
- 通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了可能性.
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青吴旭明曹玉莲陈良惠
- 关键词：键合面发射激光器光致发光谱
- GaAs/InP低温晶片键合的研究
- 2005年
- 将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。
- 王兴妍黄辉王琦任晓敏黄永清
- 关键词：键合GAAS/INP光致发光谱
- 晶片表面几何特性对键合的影响被引量：1
- 2005年
- 由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论.
- 陈斌黄永清任晓敏
- 关键词：晶片键合表面能吸附能
- In_xGa_(1-x)N能带结构和Bowing参数的研究被引量：3
- 2006年
- 应用总能赝势方法和CASTEP程序对InxGa1-xN进行了模拟计算。利用第一原理密度泛函理论来探讨不含应力的闪锌矿化合物半导体InxGa1-xN在In的不同组分下的带隙值,并利用Veg- ard定理拟合出Bowing参数值为1．5728±0．14783 eV,认为其Bowing值应该在1．5 eV附近。可见InxGa1-xN材料有明显的Bowing现象,这一结果对于InxGa1-xN的异质外延有一定的理论指导作用。
- 陈达峰任晓敏任爱光王琦黄辉黄永清
- 关键词：光学材料
- 基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长
- 2007年
- 使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,最后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/2θ扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5".
- 周静王琦熊德平蔡世伟黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：INPGAASMOCVD
