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国防科技技术预先研究基金(51412010103DZ0215)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：陈勇赵建明韩汝琦康晋锋韩德栋更多>>
相关机构：电子科技大学北京大学更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等效氧化层厚...
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层厚度
  • 1篇栅介质
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇HFO

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇韩德栋
  • 1篇康晋锋
  • 1篇韩汝琦
  • 1篇赵建明
  • 1篇陈勇

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
HfO_2高k栅介质等效氧化层厚度的提取被引量：3
2006年
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.
陈勇赵建明韩德栋康晋锋韩汝琦
关键词：等效氧化层厚度
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