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国家重点基础研究发展计划(041505002)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流比
  • 1篇隧穿
  • 1篇温下
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇峰谷电流比
  • 1篇SI
  • 1篇SI/SI1...
  • 1篇X

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇余志平
  • 1篇黄雷
  • 1篇王燕
  • 1篇向采兰
  • 1篇李涛

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
室温下Si/Si_(1-x)Ge_x共振隧穿二极管的数值模拟
2006年
采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nmSi/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入secondupwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0·23时,模拟结果的峰谷电流比为1·14,与实验结果相吻合.
李涛余志平王燕黄雷向采兰
关键词：峰谷电流比
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