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北京市自然科学基金(4122045)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:夏同生王翔曾梓臻王宇张留军更多>>
相关机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路模块
  • 1篇电压
  • 1篇振荡器
  • 1篇石墨烯纳米带
  • 1篇输运
  • 1篇轻掺杂漏
  • 1篇热积累
  • 1篇温度
  • 1篇量子
  • 1篇量子输运
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米带
  • 1篇开关电流
  • 1篇环形振荡器
  • 1篇高功率微波
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 3篇北京航空航天...

作者

  • 3篇夏同生
  • 1篇曾梓臻
  • 1篇李洪革
  • 1篇张留军
  • 1篇王宇
  • 1篇王翔

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的开关电流及复能带结构
2012年
基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值。对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应管,为了获得最佳性能,指出在关状态下的泄漏电流与开电流之间存在某种折衷,也就是说,ID-VG曲线给出的较小/大的关状态泄漏电流可能伴随着ID-VD曲线的一个较小/大的开电流。随后利用复能带的特性对此作了解释。
王宇夏同生张留军李洪革
关键词:量子输运开关电流
沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响
2014年
关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下对于器件电击穿和热积累的影响。研究结果表明,随着器件宽度的增加,标志着二次击穿开始发生的"快回"电压Vt1会明显降低,因此在HPM注入下,较大宽度的器件将有更多的时间处于击穿区域;同时,高功率微波引起热集聚效应在大沟道宽度器件中将更加显著,其内部的峰值温度大于沟道宽度较小的器件。提出了一种新型的轻掺杂漏极结构,能够改善器件内部沿宽度方向上的热扩散条件,减小器件内部的峰值温度,并可提高器件的Vt1,进而提高器件在HPM下的稳定性。
邵立汉夏同生
关键词:高功率微波热积累
一种CMOS温度传感器的设计及其应用被引量:3
2014年
提出了一种新的对温度传感器输出电压进行微调的电路和方法。利用温度自适应模块调节输出电压与温度关系曲线的斜率,并添加CMOS减法电路以调节曲线的截距。该电路结构简单,相比用电平平移电路和比例电路对输出电压进行微调,有更大的优越性。将该温度传感器,包括自适应模块与减法模块,用于稳定环形振荡器的输出频率,取得了较好的效果。
曾梓臻夏同生王翔
关键词:环形振荡器
共1页<1>
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