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国家自然科学基金(59823003)

作品数:17 被引量:43H指数:4
相关作者:蒋民华王继扬潘教青秦晓燕黄柏标更多>>
相关机构:山东大学中国地质大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 15篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 6篇晶体
  • 4篇光谱
  • 4篇CRYSTA...
  • 3篇纳米
  • 3篇JUDD-O...
  • 2篇谱性质
  • 2篇热分析
  • 2篇纳米晶
  • 2篇光谱参数
  • 2篇光谱性
  • 2篇光谱性质
  • 2篇复合发光材料
  • 2篇ND
  • 2篇GAP
  • 2篇INCLUS...
  • 1篇导电性能
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇顶部籽晶法
  • 1篇形貌

机构

  • 15篇山东大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇山东轻工业学...
  • 1篇中国地质大学

作者

  • 5篇蒋民华
  • 4篇王继扬
  • 4篇崔得良
  • 4篇潘教青
  • 4篇黄柏标
  • 4篇秦晓燕
  • 3篇张兆春
  • 3篇赵珊茸
  • 3篇许效红
  • 3篇刘宏
  • 2篇尉吉勇
  • 2篇江怀东
  • 2篇胡小波
  • 2篇滕冰
  • 2篇张承乾
  • 1篇孙大亮
  • 1篇徐现刚
  • 1篇王文魁
  • 1篇郝霄鹏
  • 1篇彭俊彪

传媒

  • 3篇Scienc...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇中国科学(B...
  • 1篇中国激光
  • 1篇功能材料
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇Chines...
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2003
  • 4篇2002
  • 11篇2001
  • 5篇2000
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
掺钕三硼酸铋晶体(Nd:BiB_3O_6)的光谱性质
2001年
采用顶部籽晶法, 生长了掺钕的新型非线性光学晶体Nd:BiB3O6, 测量了该晶体的折射率, 并拟合了晶体的折射率色散参数. 同时还测量了晶体的室温吸收谱, 并与0.2 mol/L的 NdCl3溶液的室温吸收谱进行了分析比较. 根据Judd-Ofelt理论, 拟合出晶体场唯象强度参数: Ω2 = 0.1776 × 10-20, Ω4 = 0.1282 × 10-20, Ω6 = 0.1357 × 10-20 cm2. 计算了各能级的辐射跃迁几率AJ,J', 荧光辐射寿命τ, 荧光分支比βJ', 振子强度fJ,J'等. 根据这些光学参量, 讨论了该晶体的部分性能和应用前景.
江怀东滕冰王继扬胡小波刘宏张承乾
关键词:JUDD-OFELT理论光谱参数顶部籽晶法
Effect of pyrophosphate on the light scatter in KDP crystal被引量:4
2001年
Pyrophosphate doped potassium dihydrogen phosphate (KDP) crystal was grown from aqueous solution by the temperature lowering method. Light scatter in KDP crystal was detected with the ultramicroscopic method. The light scatter in KDP crystal was aggravated when pyro-phosphate was doped into the growth solution, which was distributed ununiformly in prism and pyramidal sectors of KDP crystal. Different effects of pyrophosphate on prism and pyramidal sectors of KDP crystal can explain this case. The transmission in this crystal was measured, showing that pyrophosphate affects the transmission evidently.
Xun Sun
关键词:POTASSIUMDIHYDROGENPHOSPHATESCATTERPYROPHOSPHATE
原子力显微镜在晶体生长机理研究中的应用被引量:18
2001年
长期以来 ,晶体生长机理的研究大多是间接的理论分析。原子力显微镜具有原子、分子级分辨率且能在溶液等环境下工作 ,为我们提供了一个直接观测研究晶体生长界面过程的全新有效的工具。观察和研究的结果表明 :关于光滑界面生长动力学的BCF模型、关于杂质对台阶生长阻碍作用的C V模型等已受到冲击与挑战 ;关于晶面结构各向异性对晶体生长影响的研究已有新的内容 ;生物大分子晶体生长机理的研究面临极好的发展机遇。借助于原子力显微镜的观察研究工作 。
赵珊茸王继扬孙大亮许效红
关键词:原子力显微镜
同步辐射形貌术观察GdCa4O(BO3)3晶体中的小角晶界
采用Czochralski 法,我们成功地生长了大尺寸GdCaO(BO)单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移...
胡小波张怀金王继扬江怀东滕冰张承乾田玉莲黄万霞
文献传递
Spectral properties of Nd-doped BiB_3O_6 crystal
2001年
Transparent Nd : BiB3O6 crystal has been grown by top-seeded method. The refraction indices of the crystal were measured and the parameters of chromatic dispersion were fitted. The room temperature absorption spectra of the crystal have been measured and compared with that of 0.2 mol/L NdCI3 solution. According to Judd-Ofelt (JO) theory, the spectral strength parameters Ω2 = 0.1776×10-20 cm2, Ω4 = 0.1282×10-20 cm2 and Ω6 = 0.1357×10-20 cm2 of Nd3+ ion were fitted. The radiative transition probabilities AJ,(?), oscillator strengths fJ,(?), radiative lifetime T and the branching ratio β(?) have all been calculated. Based on these parameters, the properties and application perspective are discussed.
江怀东
关键词:光谱参数
TiO_2薄膜的热处理晶化及形貌研究被引量:1
2002年
对 Si(111)和 Si(10 0 )衬底上用化学气相沉积法制成的 Ti O2 薄膜进行了不同温度的热处理 ,并用原子力显微镜对处理后薄膜的形貌变化进行了观察。 X-射线衍射分析表明形貌变化过程即晶化过程。晶化物相为金红石。晶化程度 (或形貌变化程度 )与热处理的温度及次数 (或热处理时间 )有关。Si(111)衬底上 Ti O2 晶化形貌为杂乱分布的柱状、板状 ,定向不好 ;而 Si(10 0 )衬底上 Ti O2 晶化形貌为定向较好的四方柱状或板状 ,这是因为 Si(10 0 )与金红石 (0 0 1)都属四方对称结构 ,两相结构在此方向上容易匹配的结果。在相同热处理条件下 ,Si(111)衬底比 Si(10 0 )衬底上 Ti O2 晶化程度高 ,说明非定向附生的晶化作用比定向附生的晶化作用容易实现。
赵珊茸许效红王继扬王民刘宏孙大亮
关键词:TIO2薄膜晶体形貌AFM
GaP纳米复合发光材料的制备和性质被引量:3
2001年
用微波水热方法制备了GaP纳米晶 /桑色素复合发光材料 ,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响。结果表明 :在微波水热条件下 ,GaP纳米晶的晶体结构不发生变化 ,只是在复合反应后粒度有所长大 ;与纯GaP纳米晶的发光光谱相比 ,复合后材料的发光峰变窄 ,发光强度显著增加 ,而且发光峰峰位向短波方向移动 ;另外 ,复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系 。
崔得良尉吉勇潘教青郝霄鹏徐现刚蒋民华
关键词:纳米晶复合发光材料磷化镓
MOCVD生长A1_xGa_(1-x)P/GaAs异质外延层的结晶完整性初探
2000年
MOCVD生长的III V族异质外延材料的晶体结构完整性主要由生长时采用的源材料、衬底、温度、压力、流量以及反应器设计等因素所决定。为了获得具有优良光电性能的异质外延材料 ,需要对这些影响因素进行优化。AlxGa1-xP由于具有宽的禁带宽度、较低的本征载流子浓度和折射率 ,因此可以用于制作优良的光电器件。然而由于AlxGa1-xP与GaAs在晶格常数、热膨胀系数等物理化学性质上存在着差异 ,致使利用MOCVD在GaAs衬底生长的AlxGa1-xP外延层常常呈现较差的表面形貌以及内部存在大量缺陷。本文利用扫描电子显微镜、双晶X射线衍射、背散射分析技术对常压MOCVD生长的AlxGa1-xP/GaAs异质外延层的结晶完整性进行了初步研究。通过观察A1xGa1-xP外延层的表面形貌及双晶X射线衍射半峰宽 ,对外延生长温度和V/Ⅲ比进行了优化 ,利用背散射分析对外延层结晶完整性进行了初步表征。本文研究结果表明 ,虽然AlxGa1-xP与GaAs存在较大的晶格失配 ,但是仍然可以利用MOCVD在GaAs衬底上优化生长出具有良好结晶完整性的AlxGa1-xP外延材料。
张兆春黄柏标崔得良秦晓燕蒋民华
关键词:MOCVD法
氮化硼纳米晶的低温苯热合成
以LiN和BBr为原料,利用低温苯热合成方法制备了六方BN纳米晶,并对样品的性质进行了表征。X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)测试结果表明:在250℃时用苯热方法可以合成出粒度均匀、形状规则、平均粒度为1...
郝霄鹏崔得良白玉俊史桂霞殷永泉徐现刚蒋民华
关键词:热分析
文献传递
Morphology, Growth Process and Symmetry of {0001} Face on Yb:YAl_3(BO_3)_4 Crystal被引量:2
2003年
The {0001} face develops on the habit of self-frequency doubling laser crystal Yb: YAl3(BO3)4 (YbYAB) only under high growth rate condition, and its morphology is rough. To study the growth mechanism of {0001} face, we have observed the growth morphology on {0001} polishing section by atomic force microscopy (AFM). A series of AFM images captured in different growth durations on the {0001} polishing section reflect the crystal growth process. It is shown that the growth morphology on the {0001} polishing section was rough with many hillocks at the first growth stage, and it can become smooth finally, although the growth morphology on the {0001} face developed naturally on YbYAB crystal habit is always rough. On the smooth {0001} surface formed at the last growth stage, there are some triangular pits. This fact is different from that of hillocks in most crystal growth morphologies. AFM can easily distinguish the pits or hillocks on the surface, but differential interfere contrast microscopy (DIC) can not do. The orientation of the triangular pits is just the opposite to the triangular {0001} faces. The chemical etching pattern is also composed of this kind of triangular pits. These growth morphology and etching pattern of the {0001} faces show 3m symmetry, but the point group of YbYAB crystal is 32. The symmetric contradiction between morphology and point group does not exist for quartz, although which has the same point group as YbYAB. From quartz {0001} surface morphology we can distinguish the right form or left form of the crystal, but from YbYAB {0001} surface morphology we can not do. The reason for the symmetric contradiction between YbYAB {0001} surface morphology and its point group is not known yet.
ShanrongZHAOJiyangWANGDaliangSUNJingLIXiaoboHU
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