国家高技术研究发展计划(2004AA1Z1070)
- 作品数：10 被引量：25H指数：4
- 相关作者：郝跃刘红侠郑雪峰马晓华李忠贺更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学北京中电华大电子设计有限责任公司公安部第一研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- EEPROM单元的电荷保持特性被引量：5
- 2006年
- 利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.
- 成伟郝跃马晓华刘红侠
- 关键词：阈值电压
- 闪速存储器中的热载流子可靠性研究被引量：2
- 2004年
- 提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种器件退化的最主要的原因.在此基础上描述了应力导致的漏电流退化的3种可能的导电机制,并且分别测量出应力导致的漏电流中瞬态和稳态电流的大小.研究表明,在读操作应力下,可靠性问题主要是由电子通过氧化层隧穿引起的.
- 郑雪峰郝跃刘红侠李培咸刘道广韩晓亮
- 关键词：闪速存储器
- 闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理被引量：1
- 2005年
- 通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效的主要原因.分别计算了高场应力和低场应力两种情况下SILC中的稳态电流和瞬态电流的大小.
- 刘红侠郑雪峰郝跃
- 关键词：闪速存储器可靠性
- 电荷泵电路功耗优化设计及改进被引量：4
- 2006年
- 通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μm EEPROM CMOS工艺下进行仿真,仿真结果证明了提出的设计原则的正确性。
- 阙金珍刘红侠郝跃
- 关键词：电荷泵功耗EEPROM优化设计
- 非接触智能卡芯片ESD失效分析
- 2005年
- 非接触智能卡芯片在生产加工过程中不可避免地会产生由于静电放电(ESD)原因导致的失效。收集失效样品并进行分析,并最终确定失效模式,以及对失效点进行定位,这些都对芯片片上ESD保护电路的改进,以及生产加工环境静电防护措施的改进提供科学依据,并最终有益于提高芯片产品质量,以及提升整个生产过程中的成品率。本文对非接触智能卡的ESD失效模式、失效分析手段和失效分析流程进行了分析,并给出了一个具体的分析实例和结果。
- 周建锁
- 关键词：ESD保护电路智能卡芯片非接触智能卡失效模式静电放电
- 超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理被引量：9
- 2006年
- 对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应力条件变为PBT时,陷落的空穴可以快速退陷,但只有部分氢分子可以扩散回栅氧与衬底界面钝化硅悬挂键,这就导致了PBT条件下阈值电压只能部分恢复.
- 李忠贺刘红侠郝跃
- 关键词：负偏压温度不稳定性氢气
- 恒流应力下E^2PROM隧道氧化层的退化特性研究被引量：5
- 2006年
- 在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.
- 李蕾蕾刘红侠于宗光郝跃
- 关键词：PROM
- 超深亚微米PMOSFET的自愈合效应
- 2006年
- 主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.
- 李晶刘红侠郝跃
- 关键词：PMOSFET
- 低电场应力下闪速存储器的退化特性
- 2005年
- 基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.
- 郑雪峰郝跃刘红侠马晓华
- 关键词：闪速存储器
- 第二代居民身份证制卡工艺静电测量及防护
- 2005年
- 在第二代居民身份证的制卡制证过程中,静电放电(ESD)现象比较严重,成为主要的失效原因之一。在仔细测量的基础上,给出了整个制卡过程中生产环境的静电电压测量值。这些测量数据,对进一步分析制卡层压工序ESD现象,以及身份证模块ESD指标的确定具有重要的意义。并提出了相应的静电防护措施。
- 聂岩周建锁董浩然
- 关键词：静电放电静电测量静电防护
