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国家自然科学基金(A040205)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：翟宪振戴珊珊刘培生余晨辉罗向东更多>>
相关机构：南通大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇漂移区
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高斯型
  • 1篇NANOFI...
  • 1篇NANOTU...
  • 1篇VANADI...
  • 1篇ACTIVA...
  • 1篇CATHOD...
  • 1篇LDMOS
  • 1篇LITHIU...
  • 1篇表面电场
  • 1篇PAN
  • 1篇ELECTR...
  • 1篇ELECTR...
  • 1篇ACTIVA...
  • 1篇NANOFI...
  • 1篇CATHOD...

机构

  • 1篇南通大学

作者

  • 1篇罗向东
  • 1篇余晨辉
  • 1篇刘培生
  • 1篇戴珊珊
  • 1篇翟宪振

传媒

  • 1篇计算机工程与...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Preparation and characterization of PAN derived activated carbon nanofibers with high specific surface area via electrospinning technique
Carbon nanofibers(CNF) are synthesis by pyrolysis of polyacrylonitrile(PAN) nanofibersthat are prepared by dis...
Wei Sun； Guohua Gao； Guangming Wu； Ai Du； Jun Shen；
关键词：NANOFIBERACTIVATION
文献传递
Electrospun porous vanadium pentoxide nanotubes as a cathode material for lithium-ion batteries
Lithium ion batteries(LIBs) have become one of the most promising energy storage technologies for its many kin...
Yindan Liu； Guohua Gao； Guangming Wu；
关键词：CATHODEVANADIUMNANOTUBES
文献传递
具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
2012年
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。
罗向东翟宪振戴珊珊余晨辉刘培生
关键词：LDMOS漂移区表面电场
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