福建省科技重大专项(2006H0092)
- 作品数：1 被引量：7H指数：1
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- 发文基金：福建省科技重大专项国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理被引量：7
- 2009年
- 采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
- 陈焕庭吕毅军陈忠张海兵高玉琳陈国龙
- 关键词：GAN发光二极管负电容电导
