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浙江省自然科学基金(Y407183)

作品数:2 被引量:6H指数:2
相关作者:朱丽萍赵炳辉叶志镇王雪涛叶志高更多>>
相关机构:浙江大学更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇氧化锌
  • 1篇自组装
  • 1篇微米
  • 1篇微米棒
  • 1篇N掺杂
  • 1篇PLD
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁性
  • 1篇磁学
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇叶志镇
  • 2篇赵炳辉
  • 2篇朱丽萍
  • 1篇叶志高
  • 1篇杨叶锋
  • 1篇王雪涛
  • 1篇何海平
  • 1篇王敬蕊
  • 1篇王维维

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响被引量:4
2010年
采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜,研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响.实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试,结果表明,所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向,XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相,Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中.霍尔测试和SQUID测试表明,Co-N共掺ZnO薄膜呈p型,具有室温磁滞效应.与Co掺杂ZnO薄膜相比,载流子浓度降低,同时,饱和磁化强度和矫顽力有很大提高,可见,N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型,并增强了磁性。
王雪涛朱丽萍叶志高叶志镇赵炳辉
关键词:PLDZNO薄膜磁性
氧化锌微米棒的微观生长过程被引量:2
2009年
利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃。在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同。利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程。透射电镜图片显示了纳米棒与微米棒之间完美的外延关系。
王维维朱丽萍叶志镇王敬蕊杨叶锋何海平赵炳辉
关键词:自组装
共1页<1>
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