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国家火炬计划(2011GH011928)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:赵惠琼孔金丞姬荣斌李雄军王光华更多>>
相关机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家火炬计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇微观结构
  • 1篇化学组分
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射气压
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇X

机构

  • 1篇昆明物理研究...

作者

  • 1篇杨丽丽
  • 1篇王光华
  • 1篇李雄军
  • 1篇姬荣斌
  • 1篇孔金丞
  • 1篇赵惠琼

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
溅射气压对非晶Hg_(1-x)Cd_x Te薄膜微观结构和化学组分的影响(英文)
2012年
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响。随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低。当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征;当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构。另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1 Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高。
王光华孔金丞李雄军杨丽丽赵惠琼姬荣斌
关键词:碲镉汞薄膜非晶半导体微观结构
共1页<1>
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