您的位置： 专家智库 > >

陕西省工业科技攻关项目(2012KD6-21)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王风府林生晃刘兵陈治明封先锋更多>>
相关机构：西安理工大学更多>>
发文基金：陕西省工业科技攻关项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇镀膜
  • 1篇升华
  • 1篇热分解
  • 1篇微管

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇封先锋
  • 1篇陈治明
  • 1篇刘兵
  • 1篇林生晃
  • 1篇王风府

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响被引量：1
2013年
在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质。本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN。实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低。
刘兵陈治明封先锋林生晃王风府
关键词：升华微管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0