国家自然科学基金(69936020)
- 作品数：16 被引量：56H指数：4
- 相关作者：吉元李志国夏洋王晓冬刘丹敏更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国科学院微电子研究所中国人民武装警察部队学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 阵列波导光栅薄膜的制备及性能
- 2003年
- 以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅.
- 南铮夏洋于广华
- 关键词：阵列波导光栅有机硅化合物溶胶-凝胶法
- 铝和铜互连线的晶粒结构及残余应力研究
- 2010年
- 采用X射线衍射仪和扫描探针显微镜,观察和测量了分别由大马士革工艺制备的Cu互连线和由反应刻蚀工艺制备的Al互连线的晶粒结构和应力状态.大马士革工艺凹槽中的Cu互连线受到机械应力的影响,使Cu互连线的晶粒尺寸（45~65 nm）小于Al互连线的晶粒尺寸（200~300 nm）;Cu互连线（111）的织构强度（2.56）低于Al互连线（111）的织构强度（15.35）;Cu互连线沿线宽方向的应力σ22随线宽的减小而增加,即沉积态和退火态的Cu互连线的σ22由73和254 MPa（4μm线宽）分别增加到104和301 MPa（0.5μm线宽）.Cu互连线和Al互连线的流体静应力σ均为张应力.Al互连线的主应力σ11、σ22和σ33随Al膜厚度的减小而增加.退火使Al互连线的σ11、σ22和σ33降低,表明Al互连线中的残余应力主要为热应力.
- 王晓冬卫斌张隐奇刘志民吉元
- 关键词：织构应力
- A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性
- 2005年
- 采用电子背散射衍射技术(EBSD),测量了微电子器件中A l互连线的晶粒结构、晶体学取向和晶界特征。A l互连线制备及退火工艺影响着互连线的显微结构和电徙动中值寿命(MTF)。结果表明,退火后晶粒明显长大,晶粒呈近竹节结构,形成很强的{111}织构,并使小角度晶界增加,从而提高了A l互连线的电徙动可靠性。
- 王俊忠刘志民钟涛兴张隐奇李志国吉元
- 关键词：EBSD
- ULSI铜互连线技术中的电镀工艺被引量：19
- 2001年
- 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111)
- 张国海钱鹤夏洋王文泉龙世兵
- 关键词：集成电路铜互连线电镀工艺
- 以注氮SiO_2 作为铜互连技术中的新型阻挡层(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 。
- 张国海夏洋钱鹤高文芳于广华龙世兵
- 关键词：超大规模集成电路铜互连阻挡层注氮
- GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
- 2008年
- 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域.
- 王俊忠吉元田彦宝牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地
- 关键词：GAN外延层
- Ni-W合金原位拉伸形变的电子背散射衍射分析
- 2008年
- 采用配置在场发射扫描电镜中的电子背散射衍射仪和应变微拉伸仪,统计分析了Ni-W合金在原位单轴拉伸变形过程中,显微结构、晶界分布、晶粒转动及晶体学取向的变化。在形变(ε=22%)过程中,Ni-9%W合金中的大量晶粒转动,产生滑移,并分为亚晶。应变使大角度晶界的含量增加,挛晶界明显减小,晶粒转动量达15°。立方织构(001)[100]随拉伸形变量的增加而减小。
- 王丽田彦宝张隐奇吉元索红利高忙忙祝永华
- 关键词：电子背散射衍射晶界特征
- ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性被引量：2
- 2004年
- 观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向 .分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响 .Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小 .与平坦Cu膜相比 ,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的 (111)织构 .30 0℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111)织构发展 ,从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力 .结果表明 ,Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散 ,而对于较窄线宽的Cu互连线 ,界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径 .
- 王晓冬吉元李志国卢振军夏洋刘丹敏肖卫强
- 关键词：晶粒尺寸
- Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究
- 采用 X 射线衍射仪（XRD）和俄歇电子能谱仪（AES）研究了铜薄膜的晶体学取向和 Ta 扩散阻挡层的阻挡效果。结果表明,Ta 阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的（111） 织构;同时,50nm 厚的 Ta 阻挡层能够有效...
- 王晓冬吉元李志国夏洋刘丹敏肖卫强
- 关键词：扩散阻挡层TA
- 文献传递
- Al互连线和Cu互连线的显微结构被引量：6
- 2007年
- 利用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量了由反应离子刻蚀工艺(RIE)制备的Al互连线和大马士革工艺(Damascene)制备的Cu互连线的显微结构,包括晶粒尺寸、晶体学取向和晶界特征.分析了Cu互连线线宽,及Al和Cu互连线退火工艺对互连线显微结构及电徙动失效的影响.
- 王俊忠吉元王晓冬刘志民罗俊锋李志国
- 关键词：电子背散射衍射互连线显微结构
