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Ca_(0.075)Sr_(0.925)Bi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷的性能被引量：1: 2011年; 用溶胶凝胶法制备了Ca0.075Sr0.925Bi4Ti4O15(简称CSBTi)铁电陶瓷样品,研究了烧结温度对CSBTi铁电陶瓷性能的影响。结果表明:1180℃温度下烧结的CSBTi铁电陶瓷样品的铁电性能得到明显改善,剩余极化强度2Pr为19.4μC/cm2,矫顽场强度Ec为72.5kV/cm;压电常数为d33=9.8pC/N;居里温度TC=543℃,随着测试频率的增加,室温下相对介电常数εr的峰值逐渐下降,而对应的居里温度TC则随之上升,表现出弛豫铁电体的特征。; 张丰庆范素华陈杨董蓬超王营营田清波; 关键词：铁电陶瓷烧结温度电学性能

CSBT铁电厚膜的制备与性能研究: 2013年; 用溶胶凝胶-自蔓延燃烧法可以快速制备出纳米级的粉体,粒径约为60nm,用粉末-溶胶法所制备的厚膜表面光滑无裂痕。当PVP加入量为0.75%,溶胶浓度为0.15mol/L时所制备的CSBT厚膜a轴择优生长的晶粒较多,且晶粒发育较好。优化工艺后得到的CSBT厚膜样品的厚度为1.5μm,样品晶粒大小均匀,没有裂纹。该样品的剩余极化强度较高,2Pr可达28.7μC/cm2,对应矫顽电场为Ec=121kV/cm,表现出较为优异的铁电性能。; 张丰庆孙康宁范素华胡伟岳雪涛; 关键词：铁电性能

Bi3.25La0.75Ti3O12籽晶层对Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15铁电薄膜的影响: 2013年; 用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上沉积Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15/Bi3.25La0.75Ti3O12双层膜,薄膜置于空气气氛在退火炉中700℃退火处理。用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的相结构、取向度和微观形貌进行表征,并测试了样品的电滞回线。结果表明:与纯的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15铁电薄膜相比,双层膜具有更高的a轴取向度,表面均匀致密无孔隙,多为球形晶粒,且晶粒尺寸约为80nm,并且具有较高的剩余极化强度Pr=13.34μC/cm2,对应的矫顽场强为68.32kV/cm;Bi3.25La0.75Ti3O12的引入对Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15铁电薄膜的形核生长和晶体学取向具有一定的促进作用,有利于样品的铁电性能。; 王营营范素华张丰庆尹军; 关键词：溶胶-凝胶法铁电薄膜

LaNiO_3缓冲层厚度对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)薄膜结构和电性能的影响被引量：1: 2011年; 利用溶胶–凝胶法在Si(100)衬底上制备了具有(110)取向的LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si(100)上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(Ca0.4Sr0.6BTi)薄膜。研究了LaNiO3缓冲层厚度对Ca0.4Sr0.6BTi薄膜结构和电性能的影响。结果表明,当引入LaNiO3厚度为250 nm时,Ca0.4Sr0.6BTi薄膜(200)面衍射峰择优取向最明显,即薄膜样品的(200)与(119)面衍射峰的相对强度I(200)/I(119)最大,为1.20;Ca0.4Sr0.6BTi薄膜的相对介电常数最大为230,介电损耗因子(tanδ)为0.068,剩余极化强度为17.5μC/cm2,矫顽电场为84.6 kV/cm。; 范素华于冉张丰庆胡伟; 关键词：铁电薄膜铁电性能

Effect of annealing process on structures and ferroelectric properties of Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_(3.95)Nd_(0.05)Ti_4O_(15) thin films: 2009年; Ca0.4Sr0.6Bi3.95Nd0.05Ti4O15 （C0.4S0.6BNT） ferroelectric thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel method. Effect of annealing process （time and temperature） on structures and ferroelectric properties of C0.4S0.6BNT thin film was investigated. The relative intensity of （200） peak increased first then decreased with annealing temperature and became predominant at 800 ℃. In contrast, no evident change could be observed in the （001） peak. The remnant polarization （Pr） and coercive field （Ec） for C0.4S0.6BNT film annealed at 800℃ for 5 min were 21.6μC/cm2 and 68.3 kV/cm, respectively.; 范素华张伟王培吉张丰庆冯博楷

Sm掺杂对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响: 2009年; 利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Ca0.4Sr0.6SmxBi4-xTi4O15铁电薄膜。研究了不同钐掺量对薄膜的显微结构、晶粒取向及铁电性能的影响。结果表明:钐掺杂对钙锶铋钛铁电薄膜既有抑制氧空位所导致的畴钉扎作用,也有抑制晶粒生长发育的作用。当钐掺量x=0.05时薄膜样品晶粒发育较良好,沿a轴择优取向,I(200)/I(119)=0.869;样品铁电性能优良,剩余极化强度Pr=10.2μC/cm2,矫顽场强度Ec=120kV/cm。; 车全德范素华张丰庆马建平于冉田清波; 关键词：铁电薄膜

退火温度和匀胶速率对SrBi_(3.88)Nd_(0.12)Ti_4O_(15)薄膜铁电性能的影响被引量：1: 2009年; 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜材料,研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响。退火温度为750℃、匀胶速率为3000r/min薄膜样品为纯的铋层状钙钛矿结构且没有其它杂相出现,a轴取向的晶粒较多,铁电性能较好,剩余极化强度和矫顽场分别为2Pr=26.7μC/cm2、2Ec=80kV/cm。; 张丰庆范素华马建平车全德于冉; 关键词：退火温度铁电性能

铈掺杂对钙铋钛铁电陶瓷取向及性能的影响被引量：3: 2009年; 用固相烧结工艺,制备了不同Ce掺量CaBi4-xCexTi4O15的陶瓷样品。用X射线衍射对其显微结构进行了分析,并测试了样品的介电、铁电性能,研究了烧结温度对样品晶粒取向和铁电性能的影响。结果发现Ce掺杂未改变CaBi4-xCexTi4O15的晶体结构,1150℃烧结所得样品中a轴取向晶粒较多,有利于样品的铁电性能;x=0.2为最佳掺量,样品剩余极化强度最大,2Pr=18.4μC/cm2,对应的矫顽场强度2Ec=99kV/cm,相对介电常数εr=165,介电损耗tanδ=2×10-3。; 范素华桂舟张丰庆田清波; 关键词：铁电性能

匀胶速度对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构的影响被引量：1: 2010年; 用粉末—溶胶法和快速退火工艺在S i(100)基片上制备了Ca0.4Sr0.6B i4Ti4O15陶瓷厚膜。研究了匀胶速度及退火温度对厚膜结构的影响。用X射线衍射表征了厚膜的晶体结构,用扫描电镜观察了样品显微形貌。结果表明在750℃进行退火,匀胶速度为4500 r/m时样品晶粒发育良好,表面平整无裂纹,厚度约为1.5μm,且a轴取向较明显。; 胡伟范素华张丰庆车全德于冉; 关键词：厚膜

Ca0.075Sr0.925Bi4Ti4O15铁电陶瓷的性能被引量：1: 2011年; 用溶胶凝胶法制备了Ca0.075Sr0.925Bi4Ti4O15(简称CSBTi)铁电陶瓷样品,研究了烧结温度对CSBTi铁电陶瓷性能的影响。结果表明:1180℃温度下烧结的CSBTi铁电陶瓷样品的铁电性能得到明显改善,剩余极化强度2Pr为19.4μC/cm2,矫顽场强度Ec为72.5kV/cm;压电常数为d33=9.8pC/N;居里温度TC=543℃,随着测试频率的增加,室温下相对介电常数εr的峰值逐渐下降,而对应的居里温度TC则随之上升,表现出弛豫铁电体的特征。; 张丰庆范素华陈杨董蓬超王营营田清波; 关键词：铁电陶瓷居里温度铁电体

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