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国家自然科学基金(51173049)

作品数:6 被引量:38H指数:4
相关作者:彭俊彪邹建华王磊宁洪龙兰林锋更多>>
相关机构:华南理工大学广州新视界光电科技有限公司中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氧化铟
  • 2篇晶体管
  • 2篇非晶
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇
  • 1篇氧化物
  • 1篇阴极
  • 1篇印刷
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇照明
  • 1篇韧性
  • 1篇柔韧性
  • 1篇铜布线
  • 1篇铜源
  • 1篇喷墨
  • 1篇喷墨打印
  • 1篇稳定性
  • 1篇亮度

机构

  • 5篇华南理工大学
  • 2篇广州新视界光...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇彭俊彪
  • 3篇宁洪龙
  • 3篇王磊
  • 3篇邹建华
  • 2篇陶洪
  • 2篇兰林锋
  • 1篇刘会敏
  • 1篇徐苗
  • 1篇王剑斌
  • 1篇郑华
  • 1篇许伟
  • 1篇刘佰全
  • 1篇姚日晖
  • 1篇朱峰
  • 1篇赵铭杰
  • 1篇徐华
  • 1篇张鹏

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇中国材料进展

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
喷墨打印有机电致发光显示屏的制作工艺及研究进展被引量:6
2014年
综述了喷墨打印制备有机发光二极管显示屏(OLED)的发展历程。主要包括聚合发光二极管(PLED)的发明,喷墨打印法制备单色和全彩PLED显示屏及全彩有机发光显示屏(OLED)的研发3个主要阶段。较详细地介绍了国外为获得喷墨打印OLED显示屏核心工艺——高性能喷墨打印墨水配方和大面积阴极成膜工艺所开展的研究和取得的进展。对打印墨水配方和大面积阴极成膜工艺的细节作了详尽的描述。介绍了华南理工大学在研发了新的阴极界面材料的基础上,采用全溶液印刷工艺制备OLED显示屏的研究结果,并给出全溶液法OLED显示屏试验样品的详细数据。全溶法工艺无需真空热蒸镀金属工序,是喷墨打印制备OLED技术的一项重要进展。全溶液喷墨打印制备的OLED显示屏已在诸多方面获得应用,被证明具有工艺简单、成本低、低温工艺、可柔性弯曲等优点,适合于卷对卷规模化生产,但需要开发出更优质的阴极打印墨水和性能更高的阴极功能材料,才有可能采用全溶液法制备出大面积、出光效率更高的OLED显示屏,并进入工业化生产。
刘会敏郑华许伟彭俊彪
关键词:喷墨打印OLED显示
白光有机发光二极管的研究进展被引量:12
2015年
由于白光有机发光二极管(WOLED)具有效率高、亮度高、功耗低、视角广、响应速度快、主动发光、超薄超轻以及可柔性化等优异性能,并在显示和照明领域有广阔的应用前景,受到学者和业界的广泛重视而成为研究热点.本文首先介绍了实现WOLED的不同方法,然后从发光材料种类的角度,阐述了全荧光WOLED、全磷光WOLED、基于荧光/磷光杂化WOLED以及延迟荧光WOLED近年来的研究进展,并结合我们研究团队最近的工作详细地介绍了不同高性能WOLED的器件结构、设计思想、工作原理、物理机制以及发光过程;接着,简单介绍了柔性WOLED最近研究进展;最后探讨了WOLED目前存在的问题及其未来的发展趋势.
刘佰全高栋雨王剑斌王曦王磊邹建华宁洪龙彭俊彪
关键词:有机发光二极管白光照明柔韧性发光材料
Color-stable,reduced efficiency roll-off hybrid white organic light emitting diodes with ultra high brightness被引量:4
2013年
High-brightness and color-stable two-wavelength hybrid white organic light emitting diodes (HWOLEDs) with the configuration of indium tin oxide (ITO)/ N, N, N, N-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine (MeO-TPD): tetrafluoro-tetracyanoqino dimethane (F4-TCNQ)/N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidine (NPB)/ 4,4-N,N-dicarbazolebiphenyl (CBP): iridium (III) diazine complexes (MPPZ) 2 Ir(acac)/NPB/2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN): p-bis(p-N,N-di-phenyl-aminostyryl)benzene (DSA-ph)/bis(10-hydroxybenzo[h] quino-linato)beryllium complex (Bebq2)/LiF/Al have been fabricated and characterized. The optimal brightness of the device is 69932 cd/m2 at a voltage of 13 V, and the Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates are almost constant during a large voltage change of 6-12 V. Furthermore, a current efficiency of 15.3 cd/A at an illumination-relevant brightness of 1000 cd/m2 is obtained, which rolls off slightly to 13.0 cd/A at an ultra high brightness of 50000 cd/m2. We attribute this great performance to wisely selecting an appropriate spacer together with effectively utilizing the combinations of exciton-harvested orange-phosphorescence/blue-fluorescence in the device. Undoubtedly, this is one of the most exciting results in two-wavelength HWOLEDs up to now.
刘佰全陶洪苏跃举高栋雨兰林锋邹建华彭俊彪
关键词:超高亮度甲氧基苯基
铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善被引量:3
2015年
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2μm)、更低的接触电阻(~1072Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求.
宁洪龙胡诗犇朱峰姚日晖徐苗邹建华陶洪徐瑞霞徐华王磊兰林锋彭俊彪
氧化物薄膜晶体管研究进展被引量:12
2016年
氧化物半导体材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透明和成本低等优势,被认为是最适合驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(TFT)的半导体有源材料之一.目前氧化物TFT已成功地应用在平板显示的驱动背板上.本文从氧化物TFT的历史和发展状况出发,先介绍了氧化物半导体材料及其载流子输运机理,然后详细介绍了氧化物TFT的结构、制备方法以及电学稳定性。
兰林锋张鹏彭俊彪
关键词:薄膜晶体管稳定性
使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究被引量:3
2015年
为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明:所制备的Cu膜呈多晶结构;引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性;同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。
徐瑞霞陈子楷赵铭杰宁洪龙邹建华陶洪王磊徐苗彭俊彪
关键词:薄膜晶体管铜布线
共1页<1>
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