国家自然科学基金(11174112)
- 作品数：1 被引量：6H指数：1
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- 生长条件对脉冲激光沉积制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响被引量：6
- 2013年
- 本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中,铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响,并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨.变温霍尔效应和光透射测量表明,当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时,所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离,因Bernstein-Moss(BM)效应其带隙变大,均为重掺杂简并半导体.进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响,实验发现当氧压为1 Pa,衬底温度为200℃时,AZO导电性能最好,其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s,薄膜电阻率最小可达2.7×10-4Ω·cm,且在可见光范围内光透过率超过了85%.氧压和温度的增加,都会导致薄膜电阻率变大.
- 韩军张鹏巩海波杨晓朋邱智文自敏曹丙强
- 关键词：脉冲激光沉积法ZNO:AL薄膜透光性导电性
