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内蒙古自治区自然科学基金(20080404MS0804)

作品数：4 被引量：8H指数：2
相关作者：赵鸣田长生郭巍谢敏宋希文更多>>
相关机构：内蒙古科技大学西北工业大学教育部更多>>
发文基金：内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇ZNO
  • 2篇电阻
  • 2篇压敏电阻
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷制备
  • 1篇显微结构
  • 1篇流延
  • 1篇厚度
  • 1篇PR
  • 1篇MNO2
  • 1篇掺杂
  • 1篇V
  • 1篇SB
  • 1篇MNO

机构

  • 4篇内蒙古科技大...
  • 2篇西北工业大学
  • 1篇教育部

作者

  • 4篇赵鸣
  • 2篇田长生
  • 1篇宋希文
  • 1篇谢敏
  • 1篇郭巍
  • 1篇石钰
  • 1篇杨乐
  • 1篇申鹏
  • 1篇王志龙

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
ZnO-Pr_6O_(11)基压敏电阻的研究进展被引量：5
2010年
综述了ZnO-Pr6O11(ZnPrO)基压敏电阻在制备技术、显微组织和掺杂影响等领域的研究进展,指出烧结温度高、显微组织不均匀和掺杂的影响未被完全揭示是本研究领域的主要不足。开展液相烧结技术、引入颗粒第二相使显微组织均匀化和探索低成本非稀土掺杂是ZnPrO基压敏电阻研究领域的主要发展方向。
赵鸣郭巍谢敏宋希文
关键词：ZNO
流延法制备ZnO-V_2O_5-Sb_2O_3基压敏电阻
2011年
通过显微组织观察和电性能测试等研究了制备工艺和样品厚度对流延法制备单层方形ZnO-V2O5-Sb2O3(ZnVSb)基压敏电阻的影响。在流延基础上,通过加压排胶和烧结可制得无翘曲、显微组织均匀且致密的样品。900℃、4 h烧结1 mm厚样品性能最佳:非线性系数及压敏电压分别为45 V/mm和600 V/mm。样品的非线性系数随厚度的减少而降低。
赵鸣田长生
关键词：流延ZNO压敏电阻厚度
与Ag内电极共烧对ZnVSb压敏陶瓷显微结构及性能的影响被引量：1
2011年
研究共烧影响及其机理是开发多层片式压敏电阻的基础和关键。采用XRD、SEM、EDS研究了与Ag内电极共烧对ZnVSb陶瓷显微形貌、晶体结构及烧结性能的影响。结果表明,与Ag内电极共烧不影响ZnVSb陶瓷的相组成,但阻碍ZnVSb陶瓷烧结。Ag通过富V液相扩散并恶化其与ZnO晶粒的浸润性,从而阻碍ZnVSb陶瓷的致密化进程。Zn在Ag内电极中不存在扩散,而Sb在其中的扩散破坏了ZnVSb陶瓷原有的成分配比。研究结果为ZnVSb基片式压敏电阻开发奠定了基础。
赵鸣田长生
MnO_2掺杂ZnPrCoCrO基压敏陶瓷制备被引量：3
2012年
采用传统氧化物陶瓷工艺制备了掺杂MnO2(摩尔分数0～1.5%)的ZnO-Pr6O11-Co2O3-Cr2O3(ZnPrCoCrO)基压敏陶瓷。利用XRD、SEM及I-V特性测试等表征了所制陶瓷的微观结构和电学特性。结果表明:1 350℃下烧结1 h所制掺杂0.5%MnO2的ZnPrCoCrO陶瓷具有最佳的高压压敏性能:相对密度为99%、非线性系数为110、压敏电压强度为2 840 V/mm、漏电流密度为11.4×10–6A/cm2。
赵鸣石钰王志龙杨乐申鹏
关键词：压敏陶瓷ZNOMNO2
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