中国博士后科学基金(20090460514)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：中国科学院北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的可行性研究被引量：3
- 2012年
- 提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理设备,在真空度5.0×10-3Pa、加速电压40 kV、束流2mA、束斑14.2mm、退火时间1.5 s的条件下对[B(10 nm)/Mg(15 nm)]4/SiC夹层结构前驱膜进行了退火实验,得到了零电阻温度为30.3K、转变宽度ΔTc为0.4K、临界电流密度(5 K、0 T)为5.0×106A/cm2、表面平整的MgB2超导薄膜。证明了电子束退火制备MgB2薄膜是切实可行的。该工艺可以推广到大面积MgB2超导薄膜和MgB2线带材的制备。
- 孔祥东戴倩韩立冯庆荣初明璋薛虹李建国
- 关键词：MGB2超导薄膜SIC衬底
- 基于电子束曝光的微区加热技术
- 2011年
- 提出了基于电子束曝光的微区加热技术.在研究样品吸收能量密度的基础上,在FEI820 Dual Beam FIB/SEM系统上对30 keV电子束曝光Pb、Bi、Sn、Al金属薄膜以及15 keV电子束曝光S1805正性抗蚀剂微结构时的微区加热效应进行了实验研究.结果表明,在一定的曝光剂量下样品表面出现了熔化现象,证明采用电子束曝光可以使某些材料微小区域表面达到相变温度或熔点以上,为使用电子束曝光技术完成某些材料的微纳区域表面热处理以及制备具有光滑曲面的微结构提供了新途径.
- 孔祥东韩立初明璋薛虹
- 关键词：电子束表面改性
- Influence of Electron-Beam Annealing Duration on MgB_2 Film Superconductivity
- A novel method to fabricate Magnesium diboride (MgB2 ) film by electron beam annealing was presented. The MgB2...
- Xiangdong KongQian DaiLi HanQingrong FengMingzhang ChuHong XueJianguo LiFuren Wang
- 关键词：MGB2
- 文献传递
- 电子束曝光制备光滑曲面微结构被引量：1
- 2011年
- 提出了一种基于电子束曝光制备光滑曲面微结构的新技术。对聚合物玻璃转化温度与分子量之间的关系、分子量与电子束吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现聚合物玻璃转化温度随吸收能量密度的增加而减小。以此为依据,在FEI820Dual Beam FIB/SEM系统上采用15keV、不同剂量的电子束对S1805正性抗蚀剂微结构进行了曝光实验,得到了具有不同高度、轮廓清晰的光滑曲面微结构,为使用电子束曝光技术加工光滑曲面微结构提供了新工艺。
- 孔祥东韩立初明璋李建国
- 关键词：电子束分子量
