国家高技术研究发展计划(2003AA312040)
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：中国科学院东南大学天津大学更多>>
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- 12路并行30Gb/s 0.18μm CMOS光接收前端放大器(英文)
- 2006年
- 给出了一个采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现的12路30Gb/s并行光接收前端放大器.电路设计采用RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.测试结果表明,在2pF的寄生电容下单信道传输速率达到了2.5Gb/s,在0.8mVpp输入下得到了清晰的眼图.提出了一种同时采用p+保护环(PGR)、n+保护环(NGR)和深n阱(DNW)的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声.测量结果表明,这种结构与PGR和PGR+NGR相比,在1GHz时放大器之间的隔离度分别提高了29.2和8.1dB,在2GHz时放大器之间的隔离度分别提高了8.1和2.5dB.芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W.
- 李智群薛兆丰王志功冯军
- 关键词：前端放大器
- 提取神经电信号的单片集成CMOS前置放大器的仿真研究(英文)被引量：3
- 2005年
- 提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极电解液之间的电极极化电压,栅源电压为负值的二极管连接的nMOS晶体管能够作为大电阻,并且占用很小芯片面积,可以通过此大电阻为前置放大器提供直流偏置,同时不影响输入阻抗值.通过对输入级进行理论噪声分析,确定了放大器中的各个器件参数.仿真结果表明,由于采用电容负反馈结构,此放大器的交流增益为38.8dB,无直流增益,在0.1Hz～1kHz频率范围内,总输入等效噪声为277nVrms.
- 隋晓红刘金彬顾明裴为华陈弘达
- 关键词：前置放大器等效输入噪声
- 30Gbit/s并行光接收模块(英文)
- 2006年
- 报道了一种基于CMOS工艺接收电路芯片和GaAs工艺1×12光电探测器阵列的30Gbit/s并行光接收模块.该模块采用并行光通信方案,利用中高速光电子器件实现信号的高速传输.直接使用未经封装的接收电路裸片和光探测器裸片,采用电路板上芯片技术封装制作模块,并通过倒装焊的方式实现了探测器阵列与列阵光纤的精确对准并形成了可插拔的光接口.测试结果表明模块的接收能力可以达到30Gbit/s.误码率小于10-13时,接收模块的灵敏度可以达到-13.6dBm.
- 陈弘达贾九春裴为华唐君
- 关键词：探测器阵列CMOS工艺
- 基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计(英文)
- 2006年
- 设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.
- 陈弘达高鹏毛陆虹黄家乐
- 关键词：单片集成光电集成电路CMOS工艺
- CMOS单片光接收机的带宽设计(英文)
- 2005年
- 设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD 小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,分析和模拟了这个光电集成接收机的带宽,用低成本的0.6μmCMOS工艺设计出1.71GHz带宽和49dB跨阻增益的接收机,并给出测试结果.
- 粘华毛陆虹李炜陈弘达贾久春
- 关键词：光电集成电路光接收机
- 30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装被引量：1
- 2005年
- 介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法进行了实验研究,得到的平均耦合效率均达70%以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,介绍了列阵光纤耦合过程中光纤的位置、角度的调整方法和特点.
- 裴为华唐君申荣铉陈弘达
- 关键词：垂直腔面发射激光器并行光发射模块
- Micro-photodiode arrays as artificial retina implant
- This paper describes a photoelectric device that is intended to serve as a replacement for degenerated photore...
- 裴为华李凯陈弘达隋晓红刘金彬唐君鲁琳胡小凤吴慧娟陈晶华黎晓新
- 文献传递
- 40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器被引量：1
- 2007年
- 研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P＋保护环（PGR）、N＋保护环（NGR）和深N阱（DNW）的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。
- 李智群薛兆丰王志功冯军章丽李伟
- 关键词：前端放大器
- GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究
- 2005年
- 通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.
- 唐君陈弘达梁琨杜云杨晓红吴荣汉
- 关键词：RCE光电探测器量子效率GAAS
- 37.5Gbit/s并行光发射模块的研制
- 2007年
- 制作并测试了12信道总传输速率为37.5Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对准耦合的方法.在单信道8mA的工作电流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼图.
- 唐君陈弘达裴为华贾九春周毅
- 关键词：并行光传输垂直腔面发射激光器
