北京市自然科学基金(1052009)
- 作品数：7 被引量：13H指数：2
- 相关作者：王荣孙旭芳刘运宏杨靖波段立颖更多>>
- 相关机构：北京师范大学北京市辐射中心中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
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- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化被引量：1
- 2005年
- 2MeV,1×109~2×1013cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900~1000nm波长范围,2×1013cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.
- 杨靖波王荣孙旭芳刘运宏段立颖
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
- LM118J-8和OP07运算放大器电路抗γ辐射实时模拟研究被引量：1
- 2007年
- 利用60coγ射线模拟空间环境辐射,对卫星电源控制器中LM118J-8和OP07两种运算放大器电路进行剂量率为0.06和0.22 Gy(Si)/s,总剂量为3000 Gy(Si)辐射的实时在线研究。结果表明:随辐射剂量增加,OP07电路的输出电压在低剂量100Gy(Si)时就有明显变化,而LM118J-8电路的输出电压在辐射剂量高于900Gy(Si)时出现明显变化。LMIl8J-8运算放大器的抗辐射性能优于OP07放大器。引起LM118J-8、OP07性能退化、功能失效的主要原因是辐射感生了界面态。
- 段立颖王荣徐伟刘运宏孙旭芳
- 关键词：运算放大器Γ射线
- 0．28-2．80MeV质子辐射对空间实用GaInP／GaAs／Ge多结太阳电池性能的影响被引量：1
- 2008年
- 用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数I_(sc),V_(oc),p_(max)和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。
- 刘运宏孙旭芳王荣
- 国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应被引量：6
- 2007年
- 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Isc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池.
- 王荣刘运宏孙旭芳崔新宇
- 关键词：质子辐照光谱响应
- 0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面测量
- 2006年
- 应用北京师范大学2×1．7MeV串列加速器提供的质子束，采用相对测量方法测量了0．4～2．6MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面．结果表明，对于质子在轻核Al上的散射截面，可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1．5MeV，质子能量大于该值时，出现连续的非卢瑟福散射共振区．
- 孙旭芳王荣刘运宏王广甫
- 关键词：质子
- 0.70～2.48 MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量被引量：1
- 2008年
- 应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°(实验室坐标系)背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。
- 孙旭芳王荣刘运宏王广甫
- 关键词：质子F
- 量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应被引量：3
- 2005年
- 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池，Isc,Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3×10^12cm^-2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3×10^12cm^-2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2×10^13cm^-2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0．35eV的深能级有关．
- 王荣杨靖波范强许颖孙旭芳
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
