天津市高等学校科技发展基金计划项目(ZD200709)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
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- 发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氧化钒薄膜的制备及电致开关特性的研究被引量：4
- 2011年
- 采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒（VOx）薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）对薄膜的结晶取向和表面形貌进行了表征,通过半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试,并利用导电原子力显微镜（CAFM）对VOx薄膜的导电机制进行了探索。测试结果表明,VOx薄膜在Cu/Ti/SiO2/Si衬底取向生长,并且是以V2O5为主的V6O13和V2O5的混合物,薄膜表面颗粒大小均匀（30~40 nm）,粗糙度为2.4 nm。电学测试结果表明薄膜具有较低（Vset=0.72 V,Vreset=0.39 V）的开关电压,开关电阻的转变倍率约3个数量级,经CAFM测试发现,VOx薄膜导电态中有导电细丝,结合VOx/Cu界面态及Cu离子快扩散特性,认为VOx薄膜导电态主要是Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝所致。
- 张楷亮韦晓莹王芳武长强赵金石
- 新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展被引量：4
- 2009年
- 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。
- 许旺张楷亮杨保和
- 关键词：化学机械抛光铜互连低介电常数多孔
- 基于电感耦合氧等离子体金刚石膜表面修饰的功率优化被引量：2
- 2011年
- 采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表明,在ICP氧等离子体刻蚀的过程中,sp3键部分转化为sp2键;刻蚀后表面粗糙度降低;当刻蚀功率较高时,可同时刻蚀sp2和sp3键,而且刻蚀sp2的速率强于sp3。在刻蚀实验及机理探索基础上优化了刻蚀功率。
- 张楷亮王莎莎王芳吴小国孙大智
- 关键词：金刚石薄膜
