广西高校百名中青年学科带头人计划项目(RC20060809014)
- 作品数：9 被引量：55H指数：4
- 相关作者：王华任明放许积文杨玲刘心宇更多>>
- 相关机构：桂林电子科技大学郑州铁路职业技术学院更多>>
- 发文基金：广西高校百名中青年学科带头人计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 热处理工艺对室温制备ZnO∶Al薄膜结构与光电性能的影响被引量：3
- 2009年
- 采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响。研究表明:退火有助于减小Al3+对Zn2+的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80W、退火温度为320℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10-4Ω.cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻。而退火温度和退火气氛均对ZnO∶Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86%以上。
- 任明放王华许积文杨玲
- 关键词：光电性能磁控溅射退火工艺
- 无反应直流溅射中功率对ZnO：Al薄膜光电性能与形貌的影响
- 采用氧化锌铝陶瓷靶材,在室温下使用无氧直流磁控溅射法于载玻片衬底上制备了 ZnO：Al 透明导电薄膜,研究了溅射功率对薄膜微观结构、电阻率和透光率的影响．结果表明：薄膜具有六方纤锌矿结构并沿 c 轴择优取向生长,沉积速率...
- 许积文王华任明放成钢
- 关键词：功率电阻率透光率形貌
- 文献传递
- 掺杂及工艺条件对室温制备ZnO∶Al性能的影响被引量：9
- 2009年
- 采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO∶Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100W以及Ar压强为1.5Pa的条件下,室温溅射淀积的ZAO薄膜可获得1.4×10-3Ω.cm的最小电阻率;Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响,薄膜的平均透光率在86～90%,但随Al掺杂量和溅射功率的增加,薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动。对薄膜优值因子的分析表明,适合采用的Ar压强值在0.6～2.0Pa。
- 任明放王华许积文杨玲
- 关键词：透明导电薄膜光电性能磁控溅射
- 高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析被引量：10
- 2007年
- 以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO∶Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω.cm数量级。高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少。低电阻率在于Al3+对Zn2+替代产生的自由电子。同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关。
- 许积文王华任明放杨玲
- 关键词：纳米粉体致密度电阻率
- 溶胶-凝胶法制备ZAO透明导电氧化物薄膜的研究进展被引量：8
- 2008年
- 溶胶-凝胶法是一种高效的制膜技术。本文综述了溶胶-凝胶法制备氧化锌铝(ZAO)透明导电氧化物薄膜(TCO)的原理、特点及研究进展,指出了采用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜今后急需解决的问题。
- 徐模辉王华
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 氧化锌薄膜的p型掺杂及其制备方法被引量：2
- 2009年
- 氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60 meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料。有效的p型ZnO薄膜掺杂是实现ZnO基光电器件的基础,虽然取得一定的进展,但从性能上来看,远远不及n型ZnO薄膜,而且重复性差。分析难于实现氧化锌p型掺杂的主要原因,综述近年来出现的p型掺杂的新方法、掺杂机制及其有效的实现工艺,指出今后的发展趋势和研究重点。
- 许积文王华任明放杨玲
- 关键词：ZNOP型掺杂
- 掺杂及溅射功率对ZnO：Al薄膜结构与电性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO∶Al透明导电薄膜。研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响。研究表明：不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%（质量分数）的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂量的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大。溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳。在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10-3Ω.cm的最低电阻率。
- 任明放冯湘王华许积文
- 关键词：透明导电薄膜导电性能磁控溅射
- 无反应直流溅射中功率对ZnO：Al薄膜光电性能与形貌的影响
- 2007年
- 采用氧化锌铝陶瓷靶材，在室温下使用无氧直流磁控溅射法于载玻片衬底上制备了ZnO：Al透明导电薄膜，研究了溅射功率对薄膜微观结构、电阻率和透光率的影响。结果表明：薄膜具有六方纤锌矿结构并沿C轴择优取向生长，沉积速率与溅射功率呈准线性关系。溅射功率对薄膜的电阻率和表面形貌有显著影响，当功率为80w和120w时，薄膜的电阻率值为7．2×10^-3Ω·cm和2．3×10^-3Ω·cm，表面形貌分别为光滑与织构化,但溅射功率对薄膜的透光率影响不大，薄膜在可见光区的平均透光率均在90％左右。
- 许积文王华任明放成钢
- 关键词：ZAO薄膜功率透光率形貌
- 常压固相烧结法制备ZAO靶材及其性能的研究被引量：21
- 2008年
- 采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能的影响,并使用自制靶材,采用射频磁控溅射法镀膜.结果表明:Al2O3的掺杂没有破坏ZnO晶体结构,Al原子对Zn原子进行有效替位;晶粒尺寸随着掺杂量的增多而减小;靶材的电阻率随掺杂量的增加呈U型变化,在3wt%时取得最小值4.2×10-2Ω.cm;靶材致密度超过96%.使用该靶材生长的多晶ZAO薄膜具有(002)择优取向,结晶均匀,呈柱状生长,薄膜电阻率和可见光平均透射率可分别达到8×10-4Ω.cm～9×10-4Ω.cm和85%.图9,表1,参14.
- 刘心宇李海麒江民红
- 关键词：ZAO薄膜陶瓷靶材微观结构
- 室温溅射制备氧化锌铝薄膜及电性能研究被引量：4
- 2009年
- 采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备了氧化锌铝透明导电薄膜。研究了溅射功率和氩气压强对薄膜微观结构和电性能的影响。研究表明:溅射功率和氩气压强通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能。溅射功率低于100W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳;氩气压强在0.6～3.0Pa范围内增大时,薄膜的电阻率先缓慢减小后逐步增大,当氩气压强为1.5Pa时可获得1.4×10^(-3)Ω·cm的最小电阻率。
- 任明放王华许积文杨玲
- 关键词：透明导电薄膜导电性能磁控溅射
