公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

MgB_2多芯超导线带材研究进展被引量：1: 2011年; 回顾了近年来多芯MgB2超导线带材的主要研究进展,分析了包套材料的选取原则;比较了粉末套管法(PIT)、连续粉末装管成型工艺(CTFF)及中心镁扩散工艺(IMD)等几种常用的MgB2线带材加工制备技术的特点;评述了多芯MgB2线带材的磁通钉扎性能、交流损耗、稳定性与失超传播以及力学性能等方面的研究进展;同时简要回顾了多芯MgB2超导线带材的应用研究现状。; 王庆阳闫果A.Sulpice张平祥; 关键词：二硼化镁超导体

MgB2超导膜的厚度与其Jc(5K，0T)的关系: 2013年; 通过混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD),在(000l)SiC衬底上制得一系列从10 nm到8μm的MgB2超导膜样品,并对它们的形貌、超导转变温度Tc和临界电流密度Jc与膜厚度的关系进行了研究.观察到Tc随膜厚度增加上升到最大值后,尽管膜继续增厚,但Tc值保持近乎平稳,而Jc则先随膜厚度增加上升到最高值后,继而则随膜的厚度的增加而下降.MgB2膜的Tc(0)和Tc(onset)值与膜厚的关系基本一致,Tc(0)在膜厚为230 nm处达到最大值Tc(0)=41.4 K,而Jc(5K,0T)在膜厚为100 nm时达到最大值,Jc(5 K,0 T)=2.3×108A·cm-2,这也说明了我们能用HPCVD方法制备出高质量干净MgB2超导膜.本文研究的超导膜厚度变化跨度非常大,从10 nm级的超薄膜到100 nm级的薄膜,再到几微米的厚膜,如此Tc和Jc对膜厚度变化的依赖就有了较完整、成体系的研究.并且本文的工作对MgB2超导薄膜制备的厚度选取具有实际应用意义.; 陈艺灵张辰何法王达王越冯庆荣; 关键词：厚度临界电流密度

Nb扩散层对MgB2/Nb/Cu线材超导电性的影响(英文)被引量：1: 2013年; 采用原位法粉末装管工艺(in-situ PIT),以Nb/Cu复合管作为包套材料制备了MgB2超导线材并且在氩气保护气氛中,不同温度条件下保温2h进行成相热处理。分别采用电阻-温度测试、磁矩转变测试、临界传输电流测试以及Nb-MgB2界面磁光研究等分析手段进行研究。结果表明:当热处理温度高于750℃时,在MgB2超导芯丝和Nb阻隔层之间形成一个扩散层,该扩散层的存在阻碍了电流的传输,从而导致在磁测法测试中可以检测到超导相存在,而在传输法测试中无法看到超导传输现象。说明采用Nb作为MgB2超导线带材的扩散阻隔层时其热处理温度不能高于750℃。; 王庆阳张平祥闫果A.Sulpice熊晓梅杨芳刘国庆焦高峰李成山; 关键词：MGB2 NB

TiC掺杂12芯MgB_2线材微观结构以及超导电性被引量：1: 2013年; 采用PIT工艺,以分步法粉末为装管前驱粉,选用中心铜铌复合棒增强的导体结构制备了TiC掺杂MgB2多芯线材,研究了不同热处理温度对于粉末相组成、线材的微观结构以及超导电性的影响,结果表明分步法粉末能够有效提高C原子的取代水平,同时芯丝中MgB2晶粒尺寸达到亚微米级,MgB2晶粒连结性较好,制备多芯线材在4.2K,5T时,其Jc仍高达3×104A/cm2。; 刘国庆孙昱艳王庆阳冯建清贾佳林闫果李成山; 关键词：微观结构超导电性

Influence of Electron-Beam Annealing Duration on MgB_2 Film Superconductivity: A novel method to fabricate Magnesium diboride (MgB2 ) film by electron beam annealing was presented. The MgB2...; Xiangdong KongQian DaiLi HanQingrong FengMingzhang ChuHong XueJianguo LiFuren Wang; 关键词：MGB2; 文献传递

MgO(111)衬底MgB_2超薄膜的制备和性质研究被引量：2: 2013年; 利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在MgO(111)衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体压强、载气氢气流量以及沉积时间一定的情况下,改变B2H6的流量,制备得到不同厚度的系列MgB2超导薄膜样品,并测量了其超导转变温度Tc,临界电流密度Jc等临界参量.该系列超导薄膜沿c轴外延生长,表面具有良好的连接性,且有很高的超导转变温度Tc(0)≈35—38K和很小的剩余电阻率ρ(42K)≈1.8—20.3μ.cm.随着膜厚的减小,临界温度变低,而剩余电阻率变大.其中20nm的样品在零磁场,5K时的临界电流密度Jc≈2.3×107A/cm2.表明了利用HPCVD在MgO(111)衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能,预示了其在超导电子器件中广阔的应用前景.; 潘杰云张辰何法冯庆荣

全选清除导出

共1页<1>

国家重点基础研究发展计划(2011CB605904)