辽宁省自然科学基金(20082164)
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
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- 无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜
- 随着超大规模集成电路的发展,促使电子器件和互联线的尺寸不断减小。由于Cu具有较低的阻抗和较好的抗电子迁移能力,逐步取代Al连接材料正在被广泛研究和应用。向Cu膜中直接加入少量合金元素,制备具有良好的阻挡性能及电学性能的无...
- 刘立筠李晓娜朱瑾董闯
- 关键词：CU膜磁控溅射
- 文献传递
- 二元无扩散阻挡层Cu（Ti）薄膜的制备和表征
- Cu由于具有较低的电阻率和良好的抗电迁移能力已经广泛的取代Al作为互连材料。然而采用Cu作为互连材料也有一些缺点。Cu在低温200℃特别容易和Si反应,Cu易扩散到Si和SiO2中影响器件的性能。为了解决这个问题,通常在...
- 徐利燕李晓娜孙旭朱瑾董闯
- 关键词：磁控溅射
- 文献传递
- 基于β-FeSi_2的(Fe,M)Si_2三元合金相形成规律被引量：2
- 2010年
- 二元β-FeSi2相是一种重要的窄带半导体型金属硅化物,研究了基于该二元相的三元合金的形成规律,以丰富其材料范围.首先,利用团簇线判据作为理论依据,选取一个团簇和一个连接原子构成的模型,添加不同的第三组元作为连接原子,设计了Fe3Si8M(M=B,Cr,Ni,Cu,Co,Al)系列合金成分,即用添加组元替代二元相中的Fe连接原子.然后,用真空吸铸和真空甩带方法制备合金棒以及薄带,以获得无成分偏析的均匀合金.微结构及成分分析显示β相可以溶入摩尔含量为15%—20%的Ni,4%—13%的Cu,7%—10%的Co以及7%—10%的Cr.添加的Al取代了化学式中Si的位置,在该模型下制备β相物质添加Al是不可行的.在薄带试样Fe3Si8B和Fe3Si8Cr中有微量的非晶颗粒,表明在急冷条件下B和Cr的添加有利非晶的形成.
- 李胜斌李晓娜董闯姜辛
- 关键词：Β-FESI2三元合金
