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北京工业大学博士启动基金(X0002013201103)
作品数:
1
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相关作者:
吴武臣
汪金辉
刘文斌
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相关机构:
北京工业大学
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发文基金:
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相关领域:
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北京工业大学
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刘文斌
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汪金辉
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吴武臣
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年份
1篇
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45nm工艺下8管双阈值SRAM单元的研究
2012年
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考。仿真结果表明,组合C8具有最大的SNM,高阈值晶体管Mnl可以有效抑制漏电流。最后,分析了不同组合下的读写延迟时间,并给出了延迟差异的原因。
刘文斌
汪金辉
吴武臣
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静态随机存取存储器
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