教育部重点实验室开放基金(2010LOI01)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
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- In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理被引量：5
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一性原理出发计算了本征及In含量为5%的薄膜的能带结构,从附加能级的角度讨论了样品白光发射的产生机理.
- 李世帅张仲黄金昭冯秀鹏刘如喜
- 关键词：溶胶-凝胶白光发射
- Zn_(0.8)Na_(0.1)Co_(0.1)O薄膜的制备及衬底温度对其影响
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在温度为400、500和600℃的SiO2衬底上成功制备出Zn0.8Na0.1Co0.1O薄膜。用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪、四探针电阻率测试台等对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征,讨论了不同衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响。结果表明:掺杂没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;表面较平坦;薄膜只有较强的紫外发射且较本征ZnO出现红移;薄膜呈现低电阻率的特性。当衬底温度为600℃时,薄膜的结晶质量最好,紫外发射最强;衬底温度为400℃时,薄膜电阻率最低,达到了7.55×10-1Ω.cm。讨论了上述结果产生的原因。
- 张仲李世帅黄金昭冯秀鹏刘春彦陶冶微
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度光电性质红移
- Zn_(1-x-y)Na_xCo_yO薄膜的脉冲激光沉积制备及表征被引量：1
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四探针电阻率测试台对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征.重点讨论了不同掺杂浓度对薄膜光电性质的影响.结果表明Na,Co共掺没有改变ZnO的六角纤锌矿结构且掺杂导致薄膜仅有的的紫外发光峰出现红移.当Na,Co掺杂浓度分别为10时,峰值最强且红移最明显,发光峰波长为397nm,薄膜的电阻率最低,达到了8.34×10-1Ω.cm.深入讨论了上述结果的产生原因.
- 李世帅冯秀鹏黄金昭刘春彦张仲陶冶微
- 关键词：脉冲激光沉积光电性质红移
