国家部委预研基金(51408010301DZ0131)
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
- 相关作者：张鹤鸣戴显英胡辉勇吕懿舒斌更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- SiGe HBT势垒电容模型被引量：9
- 2004年
- 在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟 。
- 吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌
- 关键词：SIGEHBT势垒电容载流子分布异质结双极晶体管
- 基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容被引量：1
- 2004年
- 当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.
- 吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌
- 关键词：SIGEHBT势垒电容
- SiGe HBT直流特性模型研究
- 2004年
- 在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGeHBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGeHBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,基区掺杂浓度的增加减小了集电极电流、增大了中性基区复合电流,从而降低了电流增益;而Ge组分越高,集电极电流密度就越大,从而提高了SiGeHBT的电流增益.模拟了基区发射结侧Ge组分及发射区掺杂浓度对基区空穴反注入电流密度的影响,结果表明,提高Ge组分能明显减小空穴反注入电流,获得更高的电流增益.
- 戴显英张鹤鸣胡辉勇吕懿王伟李开成
- 关键词：SIGEHBT
