国家重点基础研究发展计划(G2000036603)
- 作品数：25 被引量：57H指数：6
- 相关作者：王启明成步文薛春来左玉华姚飞更多>>
- 相关机构：中国科学院北京邮电大学北京化工厂更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 随机生长误差对双腔型平顶法布里珀罗滤波器的影响被引量：1
- 2006年
- 在光网络中平顶滤波器可以有效地提高信道光检测的快速性和准确性。利用两个法布里珀罗腔间的串联耦合,可以构建出具有平顶透射特性的双腔型法布里珀罗滤波器。采用传输矩阵的方法,研究了随机生长误差对双腔型平顶滤波器透射特性的影响。模拟分析表明,当两个法布里珀罗腔的物理厚度差超过一个纳米时,在透射谱中就会出现两个高度不同的透射峰;解释了实测器件的透射谱中的双峰不对称性;用界面起伏的概念解释了实测滤波器带宽大于理论值的原因。理论分析与实验结果取得了较好的一致。
- 蔡晓左玉华毛容伟王启明
- 关键词：光学器件法布里-珀罗腔传输矩阵
- 用于无线PA的高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的设计和制作(英文)
- 2006年
- 采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益β为144·25,BVCBO为9V.
- 薛春来成步文姚飞王启明
- 关键词：HBT高频大功率无线功率放大器
- 微机械可调谐滤波器的研制(英文)被引量：4
- 2003年
- 利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达 2 8nm.
- 张瑞康杨晓红周震徐应强张玮杜云黄永清任晓敏牛智川吴荣汉
- 关键词：波分复用砷化镓
- 衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响被引量：3
- 2006年
- 使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小,电感的性能会增强,但改善的幅度会逐渐减小.厚的SiO2隔离层有利于减小衬底损耗,但是会给工艺增加难度.采用低k材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法.
- 薛春来姚飞成步文王启明
- 关键词：硅基螺旋电感品质因子
- 一种具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析及模拟被引量：9
- 2002年
- 提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型 (RCE)光电探测器结构 ,模拟得到了量子效率从峰值下降 0 5dB的线宽 1 8nm ,10dB的线宽 5 6nm ,2 0dB的线宽 10 4nm ,量子效率峰值99 7%,几乎没有凹陷的响应曲线。
- 钟源潘钟李联合黄永清任晓敏
- 关键词：谐振腔光电探测器
- 平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析被引量：5
- 2002年
- 报道了一种具有平顶陡边响应的谐振腔增强型 (RCE)光电探测器。使用数值模拟的方法对这种新型谐振腔增强型 (RCE)光电探测器与传统的RCE光电探测器的响应曲线和串扰特性进行了分析和对比 ,分析了在半导体材料生长时厚度偏差对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响 。
- 钟源黄永清任晓敏牛智川吴荣汉
- 关键词：波分复用光电探测器谐振腔增强型
- 高频大功率SiGe/Si HBT的设计
- 2006年
- 详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。
- 薛春来成步文姚飞王启明
- 关键词：SIGEHBT高频大功率
- 平顶响应的热光可调谐Fabry-Perot滤波器被引量：6
- 2004年
- 制作了一种平顶响应的热光可调谐滤波器,通过用湿法腐蚀方法将半波长的共振腔分成具有不同光学厚度的两部分,并且使入射光照射到两部分的面积基本上相等,实现平顶响应特性。对该滤波器的输出响应进行检测,实验结果与理论模拟符合,相对透射率的极大值与极小值间的起伏度小于0.01。与实现平顶响应的其他方法相比,本滤波器器件的制作工艺简单,平顶性能优越,容易与其他有源和无源光子器件集成。还给出了制作几十μm量级的共振腔实现平顶窄带响应的热光可调谐滤波器的机理,其输出响应的起伏度小于0.02,3dB带宽小于1nm。
- 蔡晓左玉华王启明
- 关键词：可调谐滤波器可调谐3DB带宽光子器件极小值
- Si基热光可调谐窄带平顶滤波器被引量：2
- 2005年
- 利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4·4nm,自由谱宽约为8·5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3·3nm.
- 左玉华蔡晓毛容伟王启明
- 关键词：SI基窄带
- 硅基1.55μm共振腔增强型探测器(英文)被引量：3
- 2005年
- 报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处理 ,反射镜的反射率可以高达 99 9%以上 ,制作工艺简单 ,价格便宜 .并获得硅基峰值响应波长为 1 5 4 μm ,量子效率达 2 2 6 %的窄带响应 ,峰值半高宽为 2 7nm .本方法有望用于工业生产 .
- 毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明
- 关键词：RCE探测器直接键合INGAAS
