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教育部科学技术研究重点项目(02165)

作品数:17 被引量:124H指数:6
相关作者:马瑾马洪磊王玉恒余旭浒计峰更多>>
相关机构:山东大学长安大学山东师范大学更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信生物学理学动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 5篇农业科学
  • 3篇生物学
  • 3篇理学
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 10篇溅射
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 6篇透明导电
  • 6篇透明导电膜
  • 5篇SNO
  • 4篇电性质
  • 4篇ZNO:GA
  • 3篇电特性
  • 3篇杂交
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇水稻
  • 3篇退火
  • 3篇耐盐
  • 3篇花粉
  • 3篇光电
  • 3篇光电性质
  • 2篇盐胁迫
  • 2篇盐藻

机构

  • 12篇山东大学
  • 6篇长安大学
  • 6篇海南大学
  • 3篇山东师范大学
  • 2篇教育部
  • 1篇莱阳农学院
  • 1篇中山大学

作者

  • 11篇马瑾
  • 10篇马洪磊
  • 8篇余旭浒
  • 8篇林栖凤
  • 7篇计峰
  • 7篇王玉恒
  • 6篇李冠一
  • 5篇张士勇
  • 4篇张锡健
  • 3篇陈菊培
  • 3篇郝晓涛
  • 3篇程传福
  • 3篇黄树来
  • 3篇方孝东
  • 3篇邓用川
  • 2篇屈良鹄
  • 2篇刘晓梅
  • 1篇张士勇
  • 1篇黄薇
  • 1篇徐进栋

传媒

  • 5篇功能材料
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇中国生物化学...
  • 2篇第四届全国植...
  • 1篇物理学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇海南大学学报...
  • 1篇陕西师范大学...
  • 1篇西安石油学院...
  • 1篇农业生物化学...

年份

  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 11篇2004
  • 7篇2003
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
通过cDNARDA法分离和识别盐藻(Dunaliella salina)盐胁迫相关基因被引量:19
2004年
采用cDNA代表性差异分析 (RDA)技术 ,对盐藻在盐胁迫时差异表达的基因进行了分离鉴定 .在分离到的 10个基因中 ,有 5个与已知基因同源 (包括叶绿素a b结合蛋白基因、蛋白磷酸酶I催化亚基基因和 3个核糖体蛋白基因 ) ,还有 5个未知功能基因则是首次在盐藻中被分离 .值得注意的是 ,所有这 5个已知基因的功能都与细胞分裂或盐胁迫有关 .结果表明 :取样时盐藻细胞仍处于恢复阶段 ,所分离到的基因对于盐藻耐盐可能具有重要意义 ;蛋白磷酸酶I的下调表达可能是盐藻调节离子平衡的一个重要过程和细胞分裂受阻的原因所在 ;盐藻减缓细胞分裂速度可能是为了减少能量消耗 ,以留出足够的能量来应对盐胁迫 ;其它 5个未知基因可能也与盐藻适应盐胁迫机制有关 .
方孝东黄薇林栖凤李冠一屈良鹄
关键词:盐藻盐胁迫
盐藻线粒体GIY-YIG族归巢内切酶基因受到盐胁迫时增强转录被引量:4
2003年
盐藻 (Dunaliellasalina (Chlorophyta) )极强的耐盐能力使之成为研究植物耐盐分子机制的重要模式生物 .在前期分离到的一个盐藻基因片段在盐胁迫时增强表达的基础上 ,通过RACE获得了该基因 5′端cDNA序列及部分 3′端cDNA序列 .序列分析结果表明 ,该基因是一个编码线粒体GIY YIG族归巢内切酶的Ⅰ型内含子基因 .RNase freeDNase处理及Northern杂交结果表明 ,盐藻线粒体DNA在盐处理组中可能发生了扩增 .这些结果结合前人的研究成果说明 ,该内含子基因的增强表达可能并非盐藻对抗盐胁迫的一种手段 ,而是盐藻对抗盐胁迫的副产品 .被该内含子基因插入的基因是盐藻对抗盐胁迫所需要增强表达的 .
方孝东林栖凤李冠一屈良鹄
关键词:盐藻线粒体盐胁迫
真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响被引量:8
2005年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。
马瑾余旭浒计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊
关键词:磁控溅射ZNO:GA真空退火
超导研究与未来超导技术被引量:3
2003年
综述了超导体的发现和各个时期的研究成果,特别是金属间化合物MgB2研究的新成果.认为由于氧化物陶瓷材料的固有属性及一些具体技术的限制,高温超导的应用还十分有限,MgB2不久将成为有真正应用价值的超导体,低温超导技术将领先于高温超导技术.
张士勇
关键词:超导技术超导体金属间化合物高温超导MGB2超导理论
射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究
2003年
 采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。
张士勇马瑾刘晓梅马洪磊郝晓涛
关键词:射频磁控溅射光电性质
ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(00...
余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊
关键词:磁控溅射ZNO:GA光电特性
文献传递
混合磁悬浮系统的数字控制研究被引量:2
2003年
研制一种磁悬浮数字控制系统。采用TMS320VC33数字信号处理器(DSP)进行设计,对采样信号通过硬件、软件滤波相结合的方法有效地抑制了干扰,采用位置式和增量式相结合的PID控制算法,实现了磁悬浮装置稳定、精确的控制功能。
张士勇
关键词:数据采集磁悬浮数字控制
退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响被引量:2
2006年
首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O∶Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω.cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2.V-1.s-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性。
黄树来姜永超盖凌云徐进栋王雨生马瑾
关键词:透明导电膜
水稻幼苗耐盐性半定量鉴定方法的建立(简报)
传统的水稻耐盐性鉴定方法只适用于筛选耐盐性较明显的品种,其应用受到一定限制,而且多数水稻的耐盐性差异较小,因此难以有效地区分耐盐性差异较小的水稻品种,为此,有必要对水稻耐盐性的半定量或定量鉴定方法进行探索。本实验通过在较...
陈洁林栖凤
关键词:SALT-TOLERANCE
文献传递
ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
2004年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻~4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊
关键词:磁控溅射ZNO:GA光电特性
共3页<123>
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