国家重点基础研究发展计划(2008CB307105)
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 相关作者：姚斌申德振张吉英赵东旭张振中更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所长春理工大学中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器被引量：2
- 2008年
- 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。
- 鞠振刚张吉英蒋大勇单崇新姚斌申德振吕有明范希武
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质被引量：4
- 2008年
- 采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器。在3V偏压下,器件的暗电流小于250nA,光响应峰值在370nm,响应度是0.34A/W。其紫外(360nm)与可见光(420nm)的抑制比为4个数量级。器件的光响应时间上沿仅为20ns。
- 赵春雨张吉英王晓华申德振姚斌赵东旭张振中李炳辉
- 关键词：ZNO薄膜MSM射频磁控溅射
- 太阳盲MgZnO光电探测器被引量：9
- 2008年
- 利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
- 蒋大勇张吉英单崇新吕有明赵延民韩舜姚斌张振中赵东旭申德振范希武
- 关键词：射频磁控溅射
