国家科技重大专项(2008ZX01XXX)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 相关作者：李蕾蕾徐睿周昕杰于宗光更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第五十八研究所东南大学西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能被引量：3
- 2011年
- 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础.
- 周昕杰李蕾蕾徐睿于宗光
- 关键词：总剂量效应EEPROM抗辐照加固
