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国家自然科学基金(10904001)

作品数:4 被引量:6H指数:2
相关作者:张跃飞韩晓东张泽陈强边心超更多>>
相关机构:北京工业大学浙江大学北京印刷学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇电子激发
  • 1篇电子激发温度
  • 1篇电子衍射
  • 1篇形变
  • 1篇形变孪晶
  • 1篇压痕
  • 1篇阴极
  • 1篇原位
  • 1篇塑性
  • 1篇塑性变形
  • 1篇陶瓷
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇孪晶
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压痕
  • 1篇晶体取向
  • 1篇空间分辨率

机构

  • 3篇北京工业大学
  • 2篇浙江大学
  • 1篇北京印刷学院

作者

  • 3篇张跃飞
  • 2篇张泽
  • 2篇韩晓东
  • 1篇张广秋
  • 1篇杨丽珍
  • 1篇刘攀
  • 1篇陈鹏
  • 1篇王峰
  • 1篇毛圣成
  • 1篇臧鹏
  • 1篇边心超
  • 1篇陈强

传媒

  • 2篇电子显微学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铝合金塑性变形的原位背散射电子衍射研究被引量:2
2012年
利用扫描电镜中的拉伸台和原位背散射电子衍射(EBSD)研究了Al-Zn-Mg合金在单轴拉伸过程中塑性变形的显微结构演化规律。结果表明,晶粒的取向在塑性变形过程中会发生明显的转动行为。晶粒具有相同或相近的取向,其转动会沿近似的趋势进行。〈101〉取向附近的晶粒其取向转动按照Sachs模型进行,向〈001〉-〈111〉连线方向转动;〈001〉-〈111〉连线附近的晶粒其取向转动按照Taylor模型向〈111〉方向转动,或按照Sachs模型向〈001〉-〈111〉方向转动。取向转动可以导致Schmid因子的增大或减小。实验结果说明,晶粒取向的转动行为受邻近晶粒的取向、变形行为影响。
王峰陈鹏毛圣成张跃飞张泽韩晓东
关键词:AL-ZN-MG合金塑性变形
银纳米晶体薄膜在纳米压痕下的微结构转变被引量:1
2011年
利用直流磁控溅射在SiO2/Si双层基底上制备厚度为60 nm的银纳米晶体薄膜,使用纳米压痕仪对其进行压痕,使用原子力显微镜对压痕区域进行形貌表征,将压痕后的银薄膜转移到透射电子显微镜中观察研究微结构变化。结果表明,压痕区域呈正三角形,边缘有堆起现象;压痕前沉积态薄膜的晶粒较小呈等轴状,压痕后晶粒较大一般呈条带状,长度方向垂直于压痕边缘;压痕区域内的晶粒内出现了大量的形变孪晶,孪晶方向一般亦垂直于压痕边缘。
臧鹏张跃飞刘攀韩晓东张泽
关键词:纳米压痕透射电子显微镜形变孪晶
不等电位空心阴极Ar等离子体放电发射光谱的诊断被引量:3
2010年
等离子体中电子激发温度是等离子体的一个重要物理参数之一,对材料表面改性具有非常重要的意义。本实验以时气为工作气体,利用发射光谱法对双层辉光放电等离子体参数进行在线诊断。依据气体放电中的光谱发射谱线强度与等离子体的电子激发温度有关,本实验选择了650~800nm范围舡原子谱线,通过玻尔兹曼方程,采用多线一斜率法对等离子体电子激发温度进行了估算。实验研究了工件电压、源极电压、工作气压等工艺参数对电子激发温度的影响,测量了电子激发温度的空间分布。实验结果表明,随工件电压的升高,电子激发温度先减小后增大,变化过程中有一个电子激发温度突变过程;不同工件电压下,工作气压对电子激发温度的影响规律不同;空间分布测量可知,中间部位处的电子激发温度要比两边高;而源极电压较小时,对电子激发温度影响不太明显。
杨丽珍张跃飞边心超陈强张广秋
关键词:电子激发温度
Local thermal conductivity of polycrystalline AlN ceramics measured by scanning thermal microscopy and complementary scanning electron microscopy techniques
2012年
The local thermal conductivity of polycrystalline aluminum nitride (AlN) ceramics is measured and imaged by using a scanning thermal microscope (SThM) and complementary scanning electron microscope (SEM) based techniques at room temperature.The quantitative thermal conductivity for the AlN sample is gained by using a SThM with a spatial resolution of sub-micrometer scale through using the 3ω method.A thermal conductivity of 308 W/m·K within grains corresponding to that of high-purity single crystal AlN is obtained.The slight differences in thermal conduction between the adjacent grains are found to result from crystallographic misorientations,as demonstrated in the electron backscattered diffraction.A much lower thermal conductivity at the grain boundary is due to impurities and defects enriched in these sites,as indicated by energy dispersive X-ray spectroscopy.
张跃飞王丽R.HeiderhoffA.K.Geinzer卫斌吉元韩晓东L.J.Balk张泽
关键词:氮化铝陶瓷空间分辨率
共1页<1>
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