国家教育部博士点基金(20050008028)
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 相关作者：潘礼庆邱红梅赵雪丹刘清波徐美更多>>
- 相关机构：北京科技大学特拉华大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信理学更多>>
- 氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展被引量：2
- 2009年
- 以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。
- 张亚萍潘礼庆
- 关键词：RKKY输运性质
- 磁性Fe_3O_4纳米颖粒的制备和磁性研究
- 2007年
- 讨论了一种制备磁性Fe_3O_4纳米颗粒的新方法,利用自行设计的反应容器,引入磁场和电场的相互作用,制得颗粒大小比较均一、分散性较好的Fe_3O_4纳米颗粒。通过改变反应时间、磁铁高度,得到了平均粒径为5～10nm的Fe_3O_4纳米颗粒,并对其进行磁特性测量。
- 刘清波潘礼庆徐美秦良强赵雪丹邱红梅
- 关键词：FE3O4粒径控制
- 锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性
- 2007年
- 采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1_(μB)。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替住的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。
- 赵凡张亚萍潘礼庆HAO Zhu邱红梅赵雪丹John Q．Xiao
- 关键词：氧化铜稀磁半导体掺杂
- 一种制备磁性Co纳米颗粒的新方法被引量：3
- 2006年
- 采用创新的、特殊的实验方法,实现在液相化学反应中精确控制磁性纳米颗粒的生长过程:将物理与化学方法相结合,在传统的液相化学反应的基础上引入物理作用,达到对磁性纳米颗粒生长大小的控制。对其形状和大小进行了透射电镜分析,确认Co纳米粒子为球形,平均粒径为14nm。并对其磁特性进行了初步测试分析。
- 王志远潘礼庆邱红梅赵雪丹徐美秦良强刘清波顾有松张跃肖强
- 关键词：钴纳米粒子粒径控制
- 基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展被引量：1
- 2007年
- 信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率。存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的。薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术。从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展。
- 张秀清潘礼庆蔡莉郭海明申承民高鸿钧
- 关键词：超高密度信息存储扫描探针显微镜
